東芝NAND閃存：TC58BVG1S3HTAI0
TC58BVG1S3HTAI0
TC58BVG1S3HTAI0是一個單獨的3.3V2Gbit(2，214，592，512位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×2048塊。該設備具有一個2112字節(jié)的靜態(tài)寄存器，它允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(128 K字節(jié)、4K字節(jié)：2112字節(jié)×64頁)。
TC58 BVG1S 3HTAI0 是一種串行類型的存儲器設備，它利用 I/O引腳進行地址和數(shù)據(jù)輸入/ 輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、用于靜態(tài)照相機的圖像文件存儲器其它需要高密度非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)。
TC58BVG1S3HTA0在芯片上具有ECC邏輯，并且可以在內(nèi)部校正每個528字節(jié)的8位讀取錯誤。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-05
