東芝NAND閃存：TC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBa4是一個(gè)3.3V4Gbit(4,429,185,024位)NAND電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+128)字節(jié)或64頁(yè)或2048塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲(chǔ)器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字節(jié)×64頁(yè))。
該 TC58 BVG2S 0HBAI4 是一個(gè)串行類型的存儲(chǔ)器設(shè)備，它利用 I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)輸入/ 輸出以及命令輸入。自動(dòng)執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲(chǔ)、語音記錄、用于靜態(tài)照相機(jī)的圖像文件存儲(chǔ)器其它需要高密度非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)。
TC58BVG2S0HBAI4芯片上有ECC邏輯，每528位字節(jié)的8位讀取錯(cuò)誤可以內(nèi)部糾正。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-05
