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IDC 諫早電子開發(fā) 漏電保護(hù)電路最佳IC

關(guān)鍵字:諫早電子 IDC電子 漏電保護(hù)IC 發(fā)布時(shí)間:2023-11-09

image001.png

半導(dǎo)體制造商的諫早電子開發(fā)了用于檢測(cè)漏電的模擬IC「RT8H054K」。

可作為漏電斷路器和漏電保護(hù)接頭使用。

本產(chǎn)品采用1波2次計(jì)數(shù)方式,動(dòng)作時(shí)間可通過(guò)外部電容設(shè)定。

此外,即使檢測(cè)到一次漏電,也能保留異常輸出的鎖存輸出格式。

內(nèi)部電路圖、應(yīng)用電路圖

image003.png

時(shí)序圖

image005.png

當(dāng)VR端子電壓高于IN端子電壓時(shí)定義為負(fù)電壓,當(dāng)?shù)陀贗N端子電壓時(shí)定義為正電壓。

①  IN-VR波形是連接在IN端子和VR端子之間的電阻處產(chǎn)生的電壓波形。

當(dāng)IN和VR之間的輸入電壓低于VT標(biāo)準(zhǔn)值≈-9.2mV時(shí),連接到TRC1引腳的電容開始充電,當(dāng)TRC1引腳的電位達(dá)到Vth1≈2.4V時(shí),判定檢測(cè)到一次。TRC1引腳電位達(dá)到VTH1的時(shí)間定義為TW1,該時(shí)間由TRC1引腳的充電電流 IRC1SO、閾值電壓VTH1和連接電容C1決定。

計(jì)算公式:TW1=-C1×VTH1/IRC1SO

②  當(dāng)IN和VR之間的輸入電壓高于VT標(biāo)

準(zhǔn)值≈-9.2mV時(shí),連接到TRC2引腳的電容開始充電,當(dāng)TRC2引腳的電位達(dá)到Vth2≈2.4V時(shí),判定檢測(cè)到一次。TRC2引腳電位達(dá)到VTH2的時(shí)間定義為TW2,該時(shí)間由TRC2引腳的充電電流IRC2SO、閾值電壓VTH2和連接電容C2決定。

計(jì)算公式:TW2=-C2×VTH2/IRC2SO

③  檢測(cè)到第一次射擊后,連接到NR引腳的電容器開始充電。

④  在檢測(cè)到第一次發(fā)射后,如果在達(dá)到 VNR=1.45V 之前檢測(cè)到第二次發(fā)射,則假定已檢測(cè)到漏電并且 OS 引腳變?yōu)楦唠娖。由于輸出為鎖存輸出型,一旦檢測(cè)到漏電流,將繼續(xù)維持高輸出。

再次打開電源即可解除鎖存。

※通過(guò)將TRC2引腳連接到GND,可以將模式更改為僅檢測(cè)正電壓輸入。

※通過(guò)將TRC1引腳連接到GND,可以將模式更改為僅檢測(cè)負(fù)電壓輸入。


電氣特性

記號(hào)

項(xiàng)目

條件

規(guī)格値

單位

Min

Typ

Max

IS

電源電流(待機(jī)時(shí))

VR-INショート

-

450

585

uA

VT

跳閘電壓

CTRC=0.047uF

6.4

9.2

12.0

mV

-12.0

-9.2

-6.4

mV

VOSH

OS HIGH電壓

IOS=250uA

3

-

-

V

VOSL

OS LOW電壓

IOS=-100uA

-

-

200

mV

IOS

OSソース電流

VOS=0.8V

250

-

-

uA

IIN

IN輸入偏置電流

VR-IN間に1MΩ

-

0.1

-

uA

VVR

VR電壓

 

2.1

2.4

2.7

V

INRSO

NR源電流

 

4.9

7.0

9.1

uA

VTHNR

NR閾值電壓

 

1.10

1.45

1.80

V

TW3

TW3脈沖寬度

CNR=0.33uF

40

70

121

ms

IRC1SO

TRC1源電流

 VIN=-30mV

43.4

62.0

80.6

uA

VTH1

TRC1閾值電壓

 

2.1

2.4

2.7

V

TW1

TW1脈沖寬度

CTRC=0.047uF

1.22

1.80

2.92

ms

IRC2SO

TRC2源電流

VIN=+30mV 

43.4

62.0

80.6

uA

VTH2

TRC2閾值電壓

 

2.1

2.4

2.7

V

TW2

TW2脈沖寬度

CTRC=0.047uF

1.22

1.80

2.92

ms

VSM

最大電流電壓

IS=7mA

25.5

27.0

28.5

V


外形尺寸

image007.png


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傳真:0755-82591176

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