SICģ�K�cIGBTģ�K�ą^(q��)�e SICģ�K�cIGBTģ�K�đ�(y��ng)�ò�e

SICģ�K��Silicon Carbide Module����IGBTģ�K��Insulated Gate Bipolar Transistor Module���ǃɷN��ͬ�Ĺ��ʰ댧(d��o)�wģ�K�������ڲ��������Ժ͑�(y��ng)�÷�����һЩ�^(q��)�e��

1. ���ϣ�SICģ�K����̼���裨SiC������댧(d��o)�w��������IGBTģ�K�t���ù裨Si������댧(d��o)�w������̼��������^�ߵğጧ(d��o)�ʺ��^�ߵ�늈��Ư���ٶ���ʹ��SICģ�K���и��ߵ��_�P(gu��n)�l�ʺ͸��͵��_�P(gu��n)�p����

2. ���ԣ�SICģ�K������IGBTģ�K�����������c(di��n)��   - ���ߵĹ����ضȣ�SICģ�K�܉��ڸ��ߵĜض��¹�������?y��n)�̼������и��ߵğ�?d��o)�ʺ͸��õğ᷀(w��n)���ԡ�   - ���͵��_�P(gu��n)�p�ģ�����̼�����������SICģ�K���и��͵��_�P(gu��n)�p�ĺ͌�(d��o)ͨ�p�����Ķ������Ч����   - ���ߵ��_�P(gu��n)�l�ʣ�̼��������^�ߵ�늈��Ư���ٶ���ʹ��SICģ�K�܉�?q��)��F(xi��n)���ߵ��_�P(gu��n)�l�����m���ڸ��l��(y��ng)����

3. ��(y��ng)�ã�SICģ�K��IGBTģ�K�ڑ�(y��ng)�÷�����һЩ��e��   - SICģ�K�m���ڸ��l���ߜغ͸�Ч�ʵđ�(y��ng)������늄�(d��ng)��܇��̫�����׃�������I(y��)�Դ����   - IGBTģ�K�m�������l���Мغ��й��ʵđ�(y��ng)�ã���׃�l���{(di��o)��늙C(j��)�(q��)��(d��ng)��늄�(d��ng)�C(j��)���Ƶ�����Ҫ����(j��)���w�đ�(y��ng)��������O(sh��)Ӌ(j��)Ҫ���x����m�Ĺ��ʰ댧(d��o)�wģ�K��

SICģ�K�cIGBTģ�K�ڑ�(y��ng)�õIJ�e��

��IGBT��̼����MOSFET���(q��)��(d��ng)��������@����늚Ⅲ��(sh��)���Բ��̼����MOSFET�����(q��)��(d��ng)��Ҫ���c���y(t��ng)������Ҳ���ڲ����Ҫ���F(xi��n)��GS�_ͨ늉���GS�P(gu��n)��늉�����·���o(h��)����̖(h��o)���t�Ϳ��ɔ_�Ȏׂ�(g��)���������w���£�

��һ���_ͨ�P(gu��n)��


����ȫ�����_�P(gu��n)�������m����m���_ͨ�P(gu��n)��늉����ڴ_�������İ�ȫ�ɿ������P(gu��n)��Ҫ��


�ٹ�IGBT����ͬ�S�ҵĹ�IGBT��ͬҪ��


���_ͨ늉�����ֵ��15V��


���P(gu��n)��늉�������-5V��-15V���Ñ����Ը���(j��)�����x���m��(d��ng)?sh��)Ĕ?sh��)ֵ����Ҋ���x�����-8V��-10V��-15V��


����(y��u)�ȿ��]��(w��n)������늉����Դ_���ɿ����_ͨ������

��̼����MOSFET����ͬ�S�ҵ�̼����MOSFET���в�ͬ���_�P(gu��n)늉�Ҫ��

���_ͨ늉�Ҫ���^����ͨ����22V��15V������(n��i)��

���P(gu��n)��늉�Ҫ���^�ߣ�ͨ����-5V��-3V������(n��i)��

����(y��u)�ȿ��]��(w��n)����ؓ(f��)늉����Դ_���ɿ����P(gu��n)�������

������ؓ(f��)���Qλ�·���Դ_���P(gu��n)���r(sh��)ؓ(f��)�������^Ҏ(gu��)��������

��������·���o(h��)

�_�P(gu��n)�������\(y��n)���^���д��ڶ�·�L(f��ng)�U(xi��n)�����ú��m�Ķ�·���o(h��)�·������Ч�p�����·����(d��o)�µ������p�����c��IGBT�����̼����MOSFET���и��̵Ķ�·���ܕr(sh��)�g��

�ٹ�IGBT��
��IGBT�ij����˱��Ͷ�·�r(sh��)�gһ��С��10��s�����O(sh��)Ӌ(j��)��IGBT�Ķ�·���o(h��)�·�r(sh��)�����h����·���o(h��)�ęz�y�ӕr(sh��)��푑�(y��ng)�r(sh��)�g�O(sh��)�Þ�5-8��s�^����m��

��̼����MOSFET��
ͨ����̼����MOSFETģ�K�Ķ�·��������С��5��s����˶�·���o(h��)��Ҫ��3��s�ԃ�(n��i)�����������ˌ�(sh��)�F(xi��n)�@һĿ��(bi��o)�����Բ��ö��O�ܻ���贮“(li��n)�M(j��n)�ж�·�z�y�����_����·���o(h��)����̕r(sh��)�g�����ڼs1.5��s������

������̼����MOSFET�(q��)��(d��ng)�ĸɔ_�����t


�ٸ�dv/dt��di/dt��ϵ�y(t��ng)��Ӱ푣�


�ڸ�늉��ʹ�����l�����M(j��n)���_�P(gu��n)�����r(sh��)���������_�P(gu��n)�^�̕�(hu��)�a(ch��n)�����ٵ�dv/dt��di/dt�����(q��)��(d��ng)�·���Ӱ������˴_��ϵ�y(t��ng)�ɿ��\(y��n)��������(q��)��(d��ng)�·�Ŀ��ɔ_�������P(gu��n)��Ҫ�����Բ�ȡ���´�ʩ��


����ݔ���Դ�����ӹ�ģ����Ȧ�͞V��늸����ԜpС�(q��)��(d��ng)��EMI���͉��Դ�ĸɔ_��


���ڴ�߅�Դ�����������ӵ�ͨ�V�����������(q��)��(d��ng)�����߉���(c��)�ĸɔ_��


��ʹ�þ��и��_(d��)100kV/��s�������_�����ĸ��xоƬ�M(j��n)����̖(h��o)��ݔ��


�����ý�(j��ng)�^��(y��u)���O(sh��)Ӌ(j��)�ĸ��x׃������ԭ߅�ʹ�߅����(y��ng)�����Ό����pС�໥�g�Ĵ�?d��ng)_��


��ʹ�������Qλ���g(sh��)����ֹͬ��۹����_�P(gu��n)�r(sh��)���໥Ӱ���


�ڵ͂�ݔ���t��


ͨ����r������IGBT�đ�(y��ng)���_�P(gu��n)�l���^����С��40kHz����̼����MOSFET���]�đ�(y��ng)���_�P(gu��n)�l���^��������100kHz����ߑ�(y��ng)���l��Ҫ���(q��)��(d��ng)���ṩ���͵���̖(h��o)���t�r(sh��)�g��̼����MOSFET���(q��)��(d��ng)��̖(h��o)��ݔ���tҪ��С��200ns����ݔ���t����(d��ng)С��20ns���錍(sh��)�F(xi��n)�@һĿ��(bi��o)�����Բ�ȡ���·�ʽ��


��ʹ�Ô�(sh��)�ָ��x�(q��)��(d��ng)оƬ���Ɍ�(sh��)�F(xi��n)��̖(h��o)��ݔ���t�s��50ns�����Ҿ����^�ߵ�һ��������ݔ���t����(d��ng)С��5ns��


���x������^�͂�ݔ�ӕr(sh��)�Ͷ�����/�½��r(sh��)�g������оƬ��

��֮���c��IGBT�����̼����MOSFET�����ϵ�y(t��ng)Ч���������ܶȺ͹����ضȷ�����Ѓ�(y��u)����Ȼ�����@Ҳ���(q��)��(d��ng)������˸��ߵ�Ҫ�󡣞��˴_��̼����MOSFET��ϵ�y(t��ng)�аl(f��)�]���õ���������Ҫ�x���m����(q��)��(d��ng)����

��݋��admin  ����޸ĕr(sh��)�g��2023-10-11