你好！歡迎來到深圳市穎特新科技有限公司！
泡泡網(wǎng)電源插座頻道6月3日 2015年臺(tái)北展（COMPUTEXTAIPEI）于6月2日—6月6日在臺(tái)北世貿(mào)中心舉行。作為全球第二、亞洲最大的信息技術(shù)產(chǎn)品展覽會(huì)，每年都吸引了國內(nèi)外大批知名廠商參展。本次Computex共有1,702個(gè)參展商和5,072個(gè)展位，規(guī)模盛大。此次盛會(huì)上，航嘉的展位位于南港大廳I1023a，攜全新的產(chǎn)品和尖端技術(shù)[詳細(xì)]
今天下午，華碩正式發(fā)布了一款外觀非常漂亮的一體機(jī)Zen AiO。具體來說，該機(jī)有21.5英寸和23.8英寸兩個(gè)版本可選，后者支持RealSense技術(shù)（Intel的雙攝像頭技術(shù)，制造景深感），前者則不支持。該機(jī)在外觀方面和Intel的iMac有些相似，但配置要比iMac強(qiáng)不少。最高可選配i7處理器、32GB DDR4內(nèi)存、GTX 960M獨(dú)顯以及P[詳細(xì)]
近日在上海舉行的CES Asia上，有一家知名廠商一口氣展示了18款搭配有USB 3.1 Type-C接口的數(shù)碼配件產(chǎn)品；其中的產(chǎn)品種類包括充電器、移動(dòng)電源、數(shù)據(jù)線、USB擴(kuò)展塢等，可以說是幾乎涵蓋了所有與USB接口相關(guān)的使用場景。這不禁讓人聯(lián)想到近半年來紛紛有諾基亞、蘋果、谷歌等IT行 業(yè)巨頭已經(jīng)開始在自家產(chǎn)品上搭載T[詳細(xì)]
2015年NAND Flash容量需求升級，主要表現(xiàn)在消費(fèi)群體龐大的智能型手機(jī)市場，受蘋果iPhone 6和三星Galaxy S6推出128GB容量選擇影響，存儲(chǔ)需求向128GB大躍進(jìn)，刺激智能型手機(jī)中高階機(jī)型存儲(chǔ)向32GB、64GB提升，以及向128GB邁進(jìn)，低端機(jī)型以16GB為標(biāo)配，F(xiàn)在手機(jī)品牌廠中高階智能型手機(jī)都采用的是eMMC存儲(chǔ)方案，據(jù)中[詳細(xì)]
從IBM到西部數(shù)據(jù)，那些大型的高科技公司都在注視著輕巧而又快速的閃存存儲(chǔ)產(chǎn)品，這些企業(yè)希望閃存能夠在明年乃至今后重新燃起企業(yè)IT投入的“小火苗”。他們正在越來越關(guān)注那些尖端的閃存開發(fā)商，比如像Fusion-io、OCZ和STEC，這些都已經(jīng)在數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤軟件和控制器應(yīng)用領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色！叭绻沂且患掖[詳細(xì)]
存儲(chǔ)器封測重新洗牌，南茂在眾強(qiáng)爭奪訂單中，成功獲美光追單，并與矽品聯(lián)手搶下日本存儲(chǔ)器大廠東芝后段封測訂單，本月成為東芝第三家后段封測聯(lián)盟廠，是同時(shí)獲美光和東芝兩大廠新訂單的大贏家，法人估南茂今年?duì)I收有望創(chuàng)新高，每股純益4元（新臺(tái)幣，下同）起跳。據(jù)了解，東芝的NAND芯片訂單是眾家封測廠中的大肥[詳細(xì)]
4月1日，三星電子(Samsung Electronics)宣布推出mSATA和M.2接口類型的850 EVO系列SSD，并采用3D V-NAND，適用于超薄型個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)產(chǎn)品，即日起在南韓、美國、大陸等共53個(gè)國家銷售。mSATA接口類型的SSD容量各為120GB、250GB、500GB和1TB，讀取速度可達(dá)到540MB/s，寫入速度可以達(dá)到520MB/s。M.2接口類型的SSD[詳細(xì)]
在工作天數(shù)恢復(fù)正常后，創(chuàng)見信息2015年3月營收22.6億元（新臺(tái)幣，下同），月增28.5%；SSD單月出貨創(chuàng)新高，帶動(dòng)工控及策略性產(chǎn)品營收11.6億元，占整體營收比重拉高至51.4%。創(chuàng)見表示，3月整體營收逐步加溫。標(biāo)準(zhǔn)型消費(fèi)產(chǎn)品在通路需求開始回籠后，出貨逐漸回歸正常。工控及策略性產(chǎn)品方面，在客戶端項(xiàng)目順利量產(chǎn)帶[詳細(xì)]
韓國內(nèi)存廠海力士(Hynix)計(jì)劃投入15兆韓元資金在韓國建新廠，再次引發(fā)市場疑慮，沖擊臺(tái)廠動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)廠南亞科及華亞科股價(jià)連袂下挫。外電報(bào)導(dǎo)，海力士將在2021年前陸續(xù)投入15兆韓元到正在興建的仁川新半導(dǎo)體廠；其中，3.3兆韓元將用于廠房興建工程，11.7兆韓元投入機(jī)器與生產(chǎn)設(shè)備。盡管海力士投資新[詳細(xì)]
我們對Intel的印象最為深刻的還是它的CPU處理器產(chǎn)品，而它的涉及產(chǎn)品線卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不止于此。Intel還有在存儲(chǔ)市場上賣的不錯(cuò)的SSD固態(tài)硬盤，并且在企業(yè)級等產(chǎn)品線中還可以說是最佳的選擇之一。雖然現(xiàn)在的TLC經(jīng)過技術(shù)升級已經(jīng)大大改善了性能及可靠性，但從大家的反應(yīng)來看，TLC閃存的心理接受度并不高。只不過TLC閃存遠(yuǎn)[詳細(xì)]
快閃存儲(chǔ)器（英語：Flash Memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲(chǔ)器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯?chǔ)器。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，以及在電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲(chǔ)存卡與U盤。閃存是非易失性的存儲(chǔ)器，所以單就保存數(shù)據(jù)而言, 它是不需要消耗電力的。與硬盤相比，閃存也有更佳[詳細(xì)]
小容量nand flash一般是指SLC，主要應(yīng)用在手機(jī)上。目前小容量nand flash大部分已經(jīng)停產(chǎn)，目前有個(gè)韓國的生產(chǎn)廠家在生產(chǎn)小容量nand flash。[詳細(xì)]
芯片MLC是什么芯片，這是SSD上最常見的芯片，就是存儲(chǔ)芯片，穎特新專業(yè)winbond NAND FLASH芯片代理商，專業(yè)銷售MLC芯片。你也可以了解MLC芯片的姐妹，SLC芯片。[詳細(xì)]
強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合是取得1+1>2的最快捷方式，Intel與美光聯(lián)合推出3D NAND FLASH將給閃存行業(yè)帶來怎樣的驚喜呢？這是題外話了，我們介紹一下英特爾的SLC固態(tài)硬盤。SSD固態(tài)硬盤的品牌也不少，intel也算是老牌子了。我在京東商城看了一下intel的SSD固態(tài)硬盤，并沒發(fā)現(xiàn)閃存類型為SLC的英特爾固態(tài)硬盤。如果有朋友知道英特[詳細(xì)]
U盤、固態(tài)硬盤中使用的內(nèi)存顆粒一般都是MLC的，都可以歸納到閃存MLC中。什么是MLC、SLC與MLC的區(qū)別我們之前已介紹，就不多介紹了。如果追求大容量、小型輕薄，我們可以在購買的時(shí)候選擇MLC的優(yōu)盤、SSD固態(tài)硬盤，如果我們要求速度快，我又不在乎成本，那就選擇SLC的吧。關(guān)于優(yōu)盤mlc/硬盤mlc/閃存mlc就選介紹到這[詳細(xì)]
SLC與MLC屬于兩種不同類型的NAND FLASH存儲(chǔ)器，廣泛被用于手機(jī)、固態(tài)硬盤上。SLC全稱Single-Level Cell ，即單層單元閃存。SLC存儲(chǔ)1bit/cell，具有速度快壽命長的優(yōu)點(diǎn)，但是容量做得不高。MLC全稱Multi-Level Cell，即多層單元閃存。MLC存儲(chǔ)2bit/cell，它速度一般壽命也一般，但是在同等體積下可以做得比SLC更高[詳細(xì)]
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。NOR型與NAND型[詳細(xì)]
NAND 閃存即將步入3D時(shí)代，目前3D NAND閃存生產(chǎn)廠商三星、東芝和SanDisk與Intel和美光的3D NAND閃存各有什么樣的特點(diǎn)呢？三星是最早采用3D NAND(V-NAND)閃存的SSD，東芝和SanDisk的48層3D NAND閃存也在昨天開始向合作伙伴提供樣品，Intel和美光算是后來居上，2014年11月才公布了他們的產(chǎn)品，近日他們公開了更多[詳細(xì)]
穎特新訊：全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司（納斯達(dá)克股票代碼： SNDK）近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。 計(jì)劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內(nèi)投入試生產(chǎn)，于2016年進(jìn)行規(guī)模化商業(yè)生產(chǎn)。閃迪存儲(chǔ)技術(shù)部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第[詳細(xì)]
Winbond(華邦)存儲(chǔ)芯片的編號和現(xiàn)代差不多，其編號規(guī)格為： W <12> <34> <56> <78>W代表Winbond；<12>代表顯存類型，98為SDRAM，94為DDRRAM；<34>代表顆粒的容量（08=8Mbits，16=16Mbits，64=64Mbits，12=128Mbits，25=256Mbits）<56>代表顆粒的位寬（16=16bit，32=[詳細(xì)]
掃碼關(guān)注我們
0755-82591179
郵箱：ivy@yingtexin.net
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道民治大道973萬眾潤豐創(chuàng)業(yè)園A棟2樓A09
Copyright © 2014-2025 穎特新科技有限公司 All Rights Reserved. 粵ICP備14043402號-4
