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語(yǔ)言
一.概述 普通51單片機(jī)可以片外擴(kuò)展ROM和RAM各64K字節(jié)的空間，在實(shí)際應(yīng)用中很少擴(kuò)展外部ROM，一般都是擴(kuò)展RAM，因?yàn)槠胀?1單片機(jī)的內(nèi)部RAM實(shí)在太少，只有128-256字節(jié)，處理數(shù)據(jù)量較大時(shí)往往不夠用。而片外擴(kuò)展RAM需要占用P0口、P2口和P3.6、P3.7，消耗了1[詳細(xì)]
SP是一個(gè)8位專用寄存器，它批示出堆棧頂部在內(nèi)部RAM塊中的位置。系統(tǒng)復(fù)位后，SP初始化為07H，實(shí)際上堆棧是由08H單元開(kāi)始的？紤]08H~1FH單元分別屬于工作寄存器區(qū)1~3，若在程序設(shè)計(jì)中用到這些區(qū)，則最好把SP值改值為1FH或更大的值。MCS-51的堆棧是向上生成的，若SP=60H，CPU執(zhí)行一和調(diào)用指令或者響應(yīng)中斷后，P[詳細(xì)]
iRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器內(nèi)部是怎樣配置的?它有什么主要特點(diǎn)?答：iRAM動(dòng)態(tài)顧及機(jī)存儲(chǔ)器是近年來(lái)出現(xiàn)的一種新型器件，它將一個(gè)完整的動(dòng)態(tài)RAM系統(tǒng)，包括動(dòng)態(tài)刷新硬件邏輯功能，全部集成到一個(gè)芯生之內(nèi)。因此，這種芯片不僅具有集成度高、價(jià)格便宜、功耗較小、接口簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，而且兼有靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)RAM的優(yōu)點(diǎn)。 [詳細(xì)]
一、內(nèi)部RAM：共256個(gè)單元，用戶使用前128個(gè)單元，用于存放可讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，后128個(gè)單元被專用寄存器占用。前128單元具體分為：1.工作寄存器區(qū)：共4個(gè)組，每組為8個(gè)存儲(chǔ)單元，即00H-07H,08H-0FH,10H-17H,18H-1FH，具體選擇哪一個(gè)由程序狀態(tài)字(PSW)中的RS1和RS0的組合決定(在此我就不展開(kāi)了，呵呵……[詳細(xì)]
1.RAM keil C語(yǔ)言編程RAM是程序運(yùn)行中存放隨機(jī)變量的數(shù)據(jù)空間。在keil中編寫(xiě)程序，如果當(dāng)前模式為small模式，如果總的變量大小未超過(guò)128B，則未初始化的變量的初值默認(rèn)為0.如果所有的變量超過(guò)單片機(jī)small模式下的128B大小，則必須對(duì)變量進(jìn)行初始化，否則超過(guò)RAM大小變量的值是不確定的，在small模式下超過(guò)128B[詳細(xì)]
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫(xiě)，RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě)。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫(xiě)最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但[詳細(xì)]
一：中斷允許寄存器 IECPU對(duì)中斷系統(tǒng)所有中斷以及某個(gè)中斷源的開(kāi)放和屏蔽是由中斷允許寄存器IE控制的。EX0 (IE.0)，外部中斷0允許位;ET0 (IE.1)，定時(shí)/計(jì)數(shù)器T0中斷允許位;EX1 (IE.2)，外部中斷0允許位;ET1 (IE.3)，定時(shí)/計(jì)數(shù)器T1中斷允許位;ES (IE.4)，串行口中斷允許位;EA (IE.7)， CPU中斷允許(總允[詳細(xì)]
C51的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域類型有哪些?各種存儲(chǔ)區(qū)域類型是哪種存儲(chǔ)空間，存儲(chǔ)范圍是什么?如何將變量定義存儲(chǔ)到確定的位置?答:bit 片內(nèi)數(shù)據(jù)區(qū)的位尋找區(qū)，位地址0x00～0x7f，128位(字節(jié)地址0x20～0x2f)data 直接尋址片內(nèi)數(shù)據(jù)區(qū)的低128字節(jié)bdata 片內(nèi)數(shù)據(jù)區(qū)的位尋址區(qū)0x20～0x2f，也可字節(jié)訪問(wèn)，16字節(jié)idata 間接尋址[詳細(xì)]
計(jì)算機(jī)的存貯器的管理模式，大致可分為兩類。第一類是將程序存貯器和數(shù)據(jù)存貯器分開(kāi)，并有各自的尋址機(jī)構(gòu)和尋址方式，這種結(jié)構(gòu)形式稱為哈佛型結(jié)構(gòu)。另一類是存貯器邏輯空間統(tǒng)一管理，可隨意安排ROM或RAM，訪問(wèn)時(shí)用同一種指令，這種結(jié)構(gòu)形式稱為普林斯頓型。MCS-51單片機(jī)的存貯器結(jié)構(gòu)屬于前者，一般微機(jī)屬于后者[詳細(xì)]
在Keill C的調(diào)試狀態(tài)下，如何觀察和修改寄存器?答:寄存器窗口、在線幫助窗口和工程管理器是同一個(gè)窗口，在工程管理器窗口下包含3個(gè)標(biāo)簽，即包含3個(gè)區(qū)域。在調(diào)試狀態(tài)下，點(diǎn)擊View菜單下的Project Window命令或?qū)?yīng)的按鈕，就會(huì)顯示或隱藏工程管理器窗口，然后點(diǎn)擊窗口下邊的寄存器標(biāo)簽，即顯示出寄存器窗口。[詳細(xì)]
串行EEPROM 應(yīng)該是一種很可靠的設(shè)備，但在我的使用中，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)出錯(cuò)的情況，毛主席老人家說(shuō)：知己知比，方能百戰(zhàn)不敗!是什么原因呢?其實(shí)這種情況多發(fā)生在插拔電的情況下。讓我們來(lái)瞧瞧：1. EEPROM 讀寫(xiě)的時(shí)序可能有小小的不對(duì)2. 是在掉電時(shí)，在電壓降低到一定程度后到完全沒(méi)電之間的一段時(shí)間內(nèi)，在MCU與E[詳細(xì)]
MCS-51單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器用于存放編好的程序和表格常數(shù)。8051片內(nèi)有4 KB的ROM，8751片內(nèi)有4 KB的EPROM，8031片內(nèi)無(wú)程序存儲(chǔ)器。 MCS-51的片外最多能擴(kuò)展64 KB程序存儲(chǔ)器，片內(nèi)外的ROM是統(tǒng)一編址的。如端保持高電平，8051的程序計(jì)數(shù)器PC在0000H～0FFFH地址范圍內(nèi) (即前4 KB地址) 是執(zhí)行片內(nèi)ROM中的程序，當(dāng)PC在[詳細(xì)]
內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器低128單元8051單片機(jī)的內(nèi)部RAM共有256個(gè)單元，通常把這256個(gè)單元按其功能劃分為兩部分：低128單元(單元地址00H～7FH)和高128單元(單元地址80H～FFH)。如圖所示為低128單元的配置圖。寄存器區(qū)8051共有4組寄存器，每組8個(gè)寄存單元(各為8)，各組都以R0～R7作寄存單元編號(hào)。寄存器常用于存放操作[詳細(xì)]
MCS-51單片機(jī)的中央處理器CPU由運(yùn)算器和控制邏輯構(gòu)成，其中包括若干特殊功能寄存器(SFR)。一、以ALU為中心的運(yùn)算器算術(shù)邏輯單元ALU能對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行加、減、乘、除等算術(shù)運(yùn)算;“與”、“或”、“異或”等邏輯運(yùn)算以及位操作運(yùn)算。PSW的格式如圖1-3所示，其各位的含義是： [詳細(xì)]
對(duì)于沒(méi)有內(nèi)部ROM的單片機(jī)或者當(dāng)程序較長(zhǎng)、片內(nèi)ROM容量不夠時(shí)，用戶必須在單片機(jī)外部擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器。MCS-51單片機(jī)片外有16條地址線，即P0口和P2口，因此最大尋址范圍為64 KB(0000H～FFFFH)。MCS-51系列單片機(jī)片外引腳可以構(gòu)成如圖所示的三總線結(jié)構(gòu)：地址總線(AB)數(shù)據(jù)總線(DB)控制總線(CB)所有外部芯片都通過(guò)這三[詳細(xì)]
ROM：(Read Only Memory)程序存儲(chǔ)器在單片機(jī)中用來(lái)存儲(chǔ)程序數(shù)據(jù)及常量數(shù)據(jù)或變量數(shù)據(jù)，凡是c文件及h文件中所有代碼、全局變量、局部變量、’const’限定符定義的常量數(shù)據(jù)、startup.asm文件中的代碼(類似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，一些低端的單片機(jī)是沒(méi)有這個(gè)的)通通都存儲(chǔ)在ROM中。RAM：(Random Acces[詳細(xì)]
擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器常用的芯片是EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)型(紫外線可擦除型)， 如2716(2K×8)、2732(4K×8)、2764(8K×8)、27128(16K×8)、27256(32K×8)、27512(64K×8)等。另外，還有+5 V電可擦除EEPROM，如2816(2K×8)、2864(8K×8)等等。紫外線[詳細(xì)]
在學(xué)校很少用到外擴(kuò)ROM/RAM的情況，都是用C語(yǔ)言編程，不差空間，代碼太大了，買(mǎi)個(gè)大ROM的芯片就行了。現(xiàn)在工作了，單位是做SoC的，采用了51的IP核，才算對(duì)51的代碼/數(shù)據(jù)空間有了清晰的認(rèn)識(shí)。MCS-51使用哈弗結(jié)構(gòu)，它的程序空間和數(shù)據(jù)空間是分開(kāi)編址的，即各自有各自的地址空間，互不重疊。所以即使地址一樣，但[詳細(xì)]
程序設(shè)計(jì)時(shí)，往往需要一個(gè)后進(jìn)先了的RAM區(qū)，以保存CPU的現(xiàn)場(chǎng)。這種后進(jìn)先出的緩沖區(qū)，就稱為堆棧。MCS-51單片機(jī)的堆棧原則上設(shè)在內(nèi)部RAM的任意區(qū)域內(nèi) 。但是，一般設(shè)在31H~7FH的范圍之間，棧頂?shù)奈恢糜蓷Ｖ羔楽P指出。 [詳細(xì)]
MSP430 FLASH型單片機(jī)的FLASH存儲(chǔ)器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段，其中信息存儲(chǔ)器SegmengA及SegmentB各有128字節(jié)，其他段有512字節(jié)。SegmentB的地址是：0x01000h到0x107F，SegmentA的地址是：0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根據(jù)容量不同，從0xFFFFh開(kāi)始，每512字節(jié)為一段進(jìn)行分配。FLASH存儲(chǔ)器寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，[詳細(xì)]
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