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穎特新為winbond戰(zhàn)略合作伙伴，華邦代理商。負責華邦解決方案系列在中國區(qū)的推廣，解決客戶在使用華邦系列產(chǎn)品中存在的問題。聯(lián)系電話：0755-82591179，在線QQ：83652985 W25Q128是華邦公司推出的大容量SPI FLASH 產(chǎn)品，W25Q128的容量為128Mb。擦寫周期多達10W次，具有20年的數(shù)據(jù)保存期[詳細]
一、引腳介紹引腳名稱引腳功能CLE 命令鎖存功能ALE 地址鎖存功能/CE 芯片使能/RE 讀使能/WE寫使能/WP寫保護R/B 就緒/忙輸出信號Vcc電源Vss地N.C不接IO0~IO7傳輸數(shù)據(jù)、命[詳細]
1引言NOR FLASH 是很常見的一種存儲芯片，數(shù)據(jù)掉電不會丟失。NOR FLASH 支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH 片內(nèi)執(zhí)行。這點和NAND FLASH 不一樣。因此，在嵌入是系統(tǒng)中，NOR FLAS H 很適合作為啟動程序的存儲介質(zhì)。NOR FLAS H 的讀取和RAM很類似，但不可以直接進行寫操作。對NOR FLAS H 的寫操作需要遵[詳細]
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布全新的SPI NOR Flash --- GD25WDxxCK產(chǎn)品系列正式量產(chǎn)，它是業(yè)界首款采用1.5mm′1.5mm USON8最小封裝，并支持1.65V至3.6V的低功耗寬工作電壓的產(chǎn)品。作為GigaDevice久經(jīng)市場驗證的1.8V、2.5V、3.0V SPI NOR Flash產(chǎn)品系列的有效補充，這款全新的寬電壓、超小[詳細]
1、閃存基本介紹Flash存儲是存儲界的新人和紅人。Flash存儲系統(tǒng)由于其優(yōu)異的性能、高效的存儲密度和出色的節(jié)能特性使得Flash存儲有望替代機械磁盤成為企業(yè)級存儲的核心。未來很有可能所有的數(shù)據(jù)都會存儲在Flash存儲介質(zhì)上面，包括銀行、中小企業(yè)、互聯(lián)網(wǎng)、電信等存儲大戶。紫外線可擦除存儲器當年沉迷于電子設(shè)計[詳細]
本文主要介紹如何對Nand Flash進行測試，適用與華邦品牌，也適用其它同行品牌。FT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片測試主要是為了篩選（Screen Out）出Flash陣列、譯碼器、寄存器的失效。測試流程（Test Flow）從wafer level，到single component level、[詳細]
W25Q80(SPI)產(chǎn)品特性：W25Q80是臺灣華邦電子（Winbond）生產(chǎn)的8M-bit串列flash晶片。主要特性有：工作電壓：2.5 ~ 3.6 V功耗：讀寫（active）時4mA，低功耗（power-down）時<1μA容量：8M-bit/1M-byte，包含4096個頁（每頁大小256位元組）介面：Standard/Dual/Quad SPI，支援時鐘頻率最高104MHz支援以4/32/6[詳細]
特點簡介：SRAM ： 靜態(tài)RAM，不用刷新，速度可以非？，像CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM，缺點是一個內(nèi)存單元需要的晶體管數(shù)量多，因而價格昂貴，容量不大。 DRAM： 動態(tài)RAM，需要刷新，容量大。 SDRAM ：同步動態(tài)RAM，需要刷新，速度較快，容量大。 DDR SDRAM： 雙通道同步動態(tài)RAM，需要刷新，[詳細]
內(nèi)存供貨商旺宏電子(Macronix)，6月15日舉行股東會，董事長吳敏求表示，NOR Flash與NAND Flash內(nèi)存的需求持續(xù)滿載，工業(yè)與車用的比例將進一步提升。吳敏求指出，F(xiàn)lash內(nèi)存在汽車與工業(yè)應(yīng)用的比重將持續(xù)增加，由目前的26% 提升至約30%左右；此外，在NOR Flash方面，目前在日本市場的市占率已超過50%，而公司的目[詳細]
作為一位資深銷售員工，今天和大家交流交流LPDDR4相比于LPDDR3的差異，感興趣的機油不妨一同來學(xué)習(xí)一下哦~~ Die的設(shè)計改進LPDDR4的本質(zhì)還是DRAM，其基本的存儲單元電容并加mos開關(guān)的方式并未發(fā)生變化。為了獲取更快的讀寫速度，僅僅提升外部的總線吞吐能力是不行的，LPDDR4在die的設(shè)計上做了改進優(yōu)化，來配[詳細]
前言：在嵌入式開發(fā)中，如uboot的移植，kernel的移植都需要對Flash 有基本的了解。下面細說一下標題中的中Flash中的關(guān)系。Flash Memory(閃存)是非易失性的存儲器。一、Flash的內(nèi)存存儲結(jié)構(gòu)flash按照內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)不同，分為兩種：nor flash和nand flash。Nor FLASH使用方便，易于連接，可以在芯片上直接運行代碼[詳細]
DDR3內(nèi)存條和eMMC存儲器區(qū)別： 1. 存儲性質(zhì)不同；2. 存儲容量不同 ；3. 運行速度不同；4. 用途不同。具體區(qū)別如下：1、存儲性質(zhì)不同：eMMC是非易失性存儲器，不論在通電或斷電狀態(tài)下，數(shù)據(jù)都是可以存儲的，而DDR3內(nèi)存是易失性存儲器，斷電同時，數(shù)據(jù)即丟失。2、存儲容量不同：eMMC的存儲容量要比DDR3內(nèi)存[詳細]
二者同為SPI-Flash，前者為華邦公司產(chǎn)品，后者是GD公司產(chǎn)品。W25Q80：8M-bit 1024KB 80MHz clock operation共有16個Block，每個Block有16個扇區(qū)，每個扇區(qū)4KB，每一頁256個字節(jié)每個設(shè)備有64位唯一IDGD25Q80：8M-bit 1024KB 120MHz 快速閱讀共有16個Block，每個Block有16個扇[詳細]
SPI，是英語Serial Peripheral interface的縮寫，顧名思義就是串行外圍設(shè)備接口。SPI接口主要應(yīng)用在 EEPROM，F(xiàn)LASH，實時時鐘，AD轉(zhuǎn)換器，還有數(shù)字信號處理器和數(shù)字信號解碼器之間。SPI總線系統(tǒng)是一種同步串行外設(shè)接口，可以使MCU與外圍設(shè)備以串行方式進行通信。SPI flash是串行通信接口的NOR FLASH。NOR-FLASH[詳細]
以華邦的W25N01GV型號進行舉例介紹；封裝一般常見的有WSON和BGA封裝；協(xié)議 走SPI協(xié)議，一般是4線模式（標準模式）：片選、時鐘、數(shù)據(jù)寫、數(shù)據(jù)讀；還有其他兩種模式：Dual/Quad SPI； 1、/CS；片選信號，低電平有效，在進行讀寫操作時需要把片選信號拉低； 2、DI, DO an[詳細]
相較于EEPROM而言，SPI Flash的存儲空間簡直就是打開了一個新世界。以W25Q16為例，16Mb也就是2MB的空間，是AT24C08芯片的1KB空間的2048倍，價格也沒有相差很多。同時使用SPI總線可以實現(xiàn)更高的讀寫速度，W25Qxx的SPI總線可以達到80MHz，這是IIC總線望塵莫及的，而且我比較喜歡用的STM32單片機的IIC總線總是讓人[詳細]
本文只對 W25Q80DV 數(shù)據(jù)手冊的一部分進行解讀，其涵蓋的內(nèi)容基本足夠開發(fā)標準 SPI 接口的 Linux 驅(qū)動和裸板驅(qū)動一般描述 W25Q80DV（8M-bit）是一個串行 Flash 存儲器。容量為 8M-bit（存儲器被組織成 4096 頁，每頁 256 字節(jié)），同一時間最多可以寫 256 字節(jié)（一頁）。 頁擦除方式可以按 16 頁一組[詳細]
臺灣Winbond（華邦）產(chǎn)品命名含義說明：A字段由W組成，代表華邦（Winbond）內(nèi)存芯片的前綴。B字段表示產(chǎn)品類型。98代表SDRAM內(nèi)存94代表DDR SDRAM內(nèi)存。C字段表示內(nèi)存芯片的容量。16代表16Mbit（2MB）32代表32Mbit（4MB）64代表64Mbit（8MB）12代表128Mbit（16MB）25代表256Mbit（32MB）。要計算內(nèi)存條的總?cè)萘浚?a title="華邦內(nèi)存編碼含義W25q64等命名規(guī)則" href="http://tjeye.net/flash-and-ddr/winbond-Memory-w25q64d.shtml" class="float-end">[詳細]
雖然很多人并不知道UFS 2.1/2.0和eMMC 5.1全稱是什么，但是在各大手機廠商的強力轟炸下，大家多多少少知道這是一種閃存標準，并且在速度上UFS 2.1>UFS 2.0>eMMC 5.1。目前來看，UFS閃存在速度上大幅領(lǐng)先eMMC，后者就像是上一個時代的產(chǎn)物。另一方面，我們發(fā)現(xiàn)不少消費者對eMMC與UFS都存在一定的誤區(qū)[詳細]
先介紹一下norflash .norflash 是一個容量比較小的內(nèi)存相比nandflash ,但是比nandflash的質(zhì)量好，不會有壞塊，也就不會有數(shù)據(jù)丟失。所以可以用來存放一下不予許出錯的數(shù)據(jù)。nandflash 可以存放海量數(shù)據(jù)如視頻等。我們用的的norflash是2M大小的？梢灾苯幼x，但不可以直接寫。如果要寫的話，先要解鎖寫操作，解鎖[詳細]
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