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SDRAMH57V2562GTR-75C 256M(16*16)K4S561632N-LC60 256M(16*16) DDRK4H561638N-LCCC 256Mb<16M*6> H5DU2562GTR-E3C 256Mb<16M*6> K4H511638J-LCCC &nb[詳細(xì)]
存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器，區(qū)別在于前者掉電后數(shù)據(jù)會被清除通常RAM（隨機(jī)讀取存儲器）就是易失性存儲器的代表，它有包含有DRAM（動態(tài)隨機(jī)存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器），他們之前不同在于生產(chǎn)工藝的不同，SRAM保存數(shù)據(jù)是靠晶體管鎖存的，DRAM保存數(shù)據(jù)靠電容充電來維持。SRAM的工藝復(fù)雜，生產(chǎn)[詳細(xì)]
DFT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片測試主要是為了篩選（Screen Out）出Flash陣列、譯碼器、寄存器的失效。測試流程（Test Flow）從wafer level，到single component level、module level，定義各項(xiàng)測試的次序，篩選出性能較差和失效的device，需要[詳細(xì)]
一、DIP雙列直插式封裝DIP(DualIn－linePackage)是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕 大多數(shù)中小規(guī)模集成電路(IC)均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過100個。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯 片插座上。當(dāng)然，也可以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的電路板上進(jìn)行焊接。[詳細(xì)]
STM32f1xxx的閃存模塊由：主存閃存、信息塊和閃存存儲器接口寄存器等3部分組成。各個部分的大小因不同型號有一定的差異，數(shù)據(jù)手冊可以看到小容量產(chǎn)品主存儲塊1-32KB，每頁1KB。系統(tǒng)存儲2KB。中容量產(chǎn)品主存儲塊64-128KB，每頁1KB。系統(tǒng)存儲2KB。大容量產(chǎn)品主存儲塊256KB以上，每頁2KB。系統(tǒng)存儲2KB。主存儲器：[詳細(xì)]
W25X64 是華邦公司推出的大容量SPI FLASH 產(chǎn)品，W25X64 的容量為 64Mbit(8M)，該系列還有 W25Q80/16/32 等。W25X16,W25X32,W25X64分別有8192,16384,32768個可編程頁,每頁256字節(jié),用扇區(qū)擦除指令每次可以擦除16頁,用塊擦除指令每次可以擦除256頁,用整片擦除指令既可以擦除整個芯片,W25X16,W25X32,W25X64分[詳細(xì)]
NAND Flash是一種非易失性隨機(jī)訪問存儲介質(zhì)，基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計，通過浮柵來鎖存電荷，電荷被儲存在浮柵中，它們在無電源供應(yīng)的情況下仍然可以保持。關(guān)于NAND Flash技術(shù)基本原理之前有過講解，大家可以參考文章閃存技術(shù)最全面解析。今天主要討論下NAND Flash生產(chǎn)過程、架構(gòu)和關(guān)鍵指標(biāo)。NAND Fl[詳細(xì)]
1，按照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-4），DDR4目前標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC官方頻率規(guī)格的為1600，1866，2133，2400，2666，3200，簡單來說就是，這六個頻率為官方標(biāo)準(zhǔn)的原生默頻頻率（由于JEDC最高為3200，因此3200以上均為非規(guī)范頻率，比如XMP），1600和1866這兩個頻率將應(yīng)用在某些特殊行業(yè)及領(lǐng)域，零售領(lǐng)域從2133起售。在官方標(biāo)準(zhǔn)[詳細(xì)]
新一代DDR4與上一代DDR3內(nèi)存相比，新一代 DDR4 內(nèi)存性能有了大幅度提升，而且功耗還降低了不少。更讓大家興奮的是，目前它的價格和 DDR3 相差無幾。這難免令新裝機(jī)用戶心動。但是首先非常遺憾的告訴大家，DDR3 與 DDR4 內(nèi)存相差較大，從外觀到參數(shù)都是絕對的變化，也不互相兼容。DDR4 內(nèi)存條每次內(nèi)存升級換代時[詳細(xì)]
一、基本特性容量256Mb，最小的組織單位是頁每個頁256個字節(jié)，可進(jìn)行頁編程(一次寫256個字節(jié))；16個頁組成4KB的扇區(qū)，可進(jìn)行扇區(qū)擦除，128個扇區(qū)組成32KB塊，64KB的組，可以整片擦除。256有8192個扇區(qū)和512個塊。 256支持標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口，2/4線SPI，SPI頻率最大104MHz，64位唯一序列號[詳細(xì)]
相較于EEPROM而言，SPI Flash的存儲空間簡直就是打開了一個新世界。以W25Q16為例，16Mb也就是2MB的空間，是AT24C08芯片的1KB空間的2048倍，價格也沒有相差很多。同時使用SPI總線可以實(shí)現(xiàn)更高的讀寫速度，W25Qxx的SPI總線可以達(dá)到80MHz，這是IIC總線望塵莫及的，而且我比較喜歡用的STM32單片機(jī)的IIC總線總是讓人[詳細(xì)]
前言：這個所謂的芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）對于我這種一根筋的人是很難理解的，一直總覺得CPU是只能在RAM中運(yùn)行程序，為何能夠在Nor Flash中執(zhí)行程序呢，這里面就有個概念容易混淆，也可能是翻譯理解的問題。所謂片內(nèi)執(zhí)行不是說程序在存儲器內(nèi)執(zhí)行，CPU的基本功能是取指、譯碼、運(yùn)行。Nor Flash能在芯片內(nèi)執(zhí)行，指的是[詳細(xì)]
W25Q64是華邦公司推出的大容量SPI FLASH產(chǎn)品，其容量為64Mb。該25Q系列的器件在靈活性和性能方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過普通的串行閃存器件。W25Q64將8M字節(jié)的容量分為128個塊，每個塊大小為64K字節(jié)，每個塊又分為16個扇區(qū)，每個扇區(qū)4K個字節(jié)。W25Q64的最小擦除單位為一個扇區(qū)，也就是每次必須擦除4K個字節(jié)。所以，這需要給W2[詳細(xì)]
1.SPI是串行外圍設(shè)備接口。SPI的接口主要應(yīng)用在EEPROM，F(xiàn)LASH，實(shí)時時鐘， AD 轉(zhuǎn)換器，還有數(shù)字信號處理器和數(shù)字信號解碼器之間。2. SPI，是一種高速的，全雙工，同步的通信總線，3.芯片的管腳上只占用四根線， STM32 也有 SPI 接口。4.Master與Slave :主機(jī)與從機(jī)。5.SPI 接口一般使用 4 條線通信：MISO 主設(shè)備[詳細(xì)]
穎特新為winbond戰(zhàn)略合作伙伴，華邦代理商。負(fù)責(zé)華邦解決方案系列在中國區(qū)的推廣，解決客戶在使用華邦系列產(chǎn)品中存在的問題。聯(lián)系電話：0755-82591179，在線QQ：83652985 W25Q128是華邦公司推出的大容量SPI FLASH 產(chǎn)品，W25Q128的容量為128Mb。擦寫周期多達(dá)10W次，具有20年的數(shù)據(jù)保存期[詳細(xì)]
一、引腳介紹引腳名稱引腳功能CLE 命令鎖存功能ALE 地址鎖存功能/CE 芯片使能/RE 讀使能/WE寫使能/WP寫保護(hù)R/B 就緒/忙輸出信號Vcc電源Vss地N.C不接IO0~IO7傳輸數(shù)據(jù)、命[詳細(xì)]
1引言NOR FLASH 是很常見的一種存儲芯片，數(shù)據(jù)掉電不會丟失。NOR FLASH 支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH 片內(nèi)執(zhí)行。這點(diǎn)和NAND FLASH 不一樣。因此，在嵌入是系統(tǒng)中，NOR FLAS H 很適合作為啟動程序的存儲介質(zhì)。NOR FLAS H 的讀取和RAM很類似，但不可以直接進(jìn)行寫操作。對NOR FLAS H 的寫操作需要遵[詳細(xì)]
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布全新的SPI NOR Flash --- GD25WDxxCK產(chǎn)品系列正式量產(chǎn)，它是業(yè)界首款采用1.5mm′1.5mm USON8最小封裝，并支持1.65V至3.6V的低功耗寬工作電壓的產(chǎn)品。作為GigaDevice久經(jīng)市場驗(yàn)證的1.8V、2.5V、3.0V SPI NOR Flash產(chǎn)品系列的有效補(bǔ)充，這款全新的寬電壓、超小[詳細(xì)]
1、閃存基本介紹Flash存儲是存儲界的新人和紅人。Flash存儲系統(tǒng)由于其優(yōu)異的性能、高效的存儲密度和出色的節(jié)能特性使得Flash存儲有望替代機(jī)械磁盤成為企業(yè)級存儲的核心。未來很有可能所有的數(shù)據(jù)都會存儲在Flash存儲介質(zhì)上面，包括銀行、中小企業(yè)、互聯(lián)網(wǎng)、電信等存儲大戶。紫外線可擦除存儲器當(dāng)年沉迷于電子設(shè)計[詳細(xì)]
本文主要介紹如何對Nand Flash進(jìn)行測試，適用與華邦品牌，也適用其它同行品牌。FT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片測試主要是為了篩選（Screen Out）出Flash陣列、譯碼器、寄存器的失效。測試流程（Test Flow）從wafer level，到single component level、[詳細(xì)]
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