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語(yǔ)言
內(nèi)存的正式名字叫做“存儲(chǔ)器”，是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為3400億美金，存儲(chǔ)器就占了768億美元。對(duì)于你身邊的手機(jī)、平板、PC、筆記本、安防等所有電子產(chǎn)品來說，存儲(chǔ)器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。[詳細(xì)]
NAND Flash解決方案架構(gòu)主流分為：raw NAND、ClearNAND和eMMC三種，各有不同的架構(gòu)、界面和終端應(yīng)用。生產(chǎn)廠商將會(huì)視不同客戶和不同產(chǎn)品應(yīng)用的需求，而靈活運(yùn)用raw NAND、ClearNAND和eMMC 這3種NAND Flash解決方案。raw NANDraw NAND即是一般的NAND Flash內(nèi)存芯片，所有的ECC除錯(cuò)機(jī)制(Error Correcting Code)、[詳細(xì)]
高速SRAM芯片一般是指異步快速SRAM芯片，讀取速度在8/10/12ns之間，大多數(shù)用于工業(yè)級(jí)應(yīng)用，高速設(shè)備應(yīng)用，服務(wù)器，金融系統(tǒng)等行業(yè)，對(duì)于高速SRAM芯片要如何選型？穎特新工程師建議一般考慮以下幾個(gè)：1、高速SRAM存儲(chǔ)器容量容量是衡量 SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的能力大小，它們主要的單位換算方式如下：1.1常用的單位有：bi[詳細(xì)]
一、什么是SRAM存儲(chǔ)器？SRAM存儲(chǔ)器是一種需要在支持供電的條件下才可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，一般在高性能產(chǎn)品中是關(guān)鍵的部分，一般來說SRAM存儲(chǔ)器是分為兩種，一種是異步SRAM，另一種是同步SRAM。同步型sram采用一個(gè)輸入時(shí)鐘來啟動(dòng)至存儲(chǔ)器的所有事務(wù)處理(讀、寫、取消選定等)。而異步型sram則并不具備時(shí)[詳細(xì)]
PSRAM是一種偽靜態(tài)SRAM存儲(chǔ)器，它具有類似SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實(shí)現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新，接口簡(jiǎn)單；PSRAM的內(nèi)核是DRAM架構(gòu)：1T1C一個(gè)晶體管一個(gè)電容構(gòu)成存儲(chǔ)cell，而傳統(tǒng)SRAM需要6T即六個(gè)晶體管構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)cell。由此結(jié)合，他可以實(shí)現(xiàn)類S[詳細(xì)]
PSRAM，全稱Pseudo static random access memory，屬于偽靜態(tài)SRAM器件，內(nèi)置內(nèi)存顆粒和SDRAM的顆粒類似，器件外部接口和SRAM相似，不需要跟SDRAM一樣復(fù)雜的控制器和刷新機(jī)制可以采用跟SRAM一樣的接口模式外擴(kuò)PSRAM器件。PSRAM芯片容量包括1Mbytex8，2Mbytex8，4Mbytex8，8Mbytex8四種，不能夠與SDRAM的高密度容[詳細(xì)]
SDRAMH57V2562GTR-75C 256M(16*16)K4S561632N-LC60 256M(16*16) DDRK4H561638N-LCCC 256Mb<16M*6> H5DU2562GTR-E3C 256Mb<16M*6> K4H511638J-LCCC &nb[詳細(xì)]
存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，區(qū)別在于前者掉電后數(shù)據(jù)會(huì)被清除通常RAM（隨機(jī)讀取存儲(chǔ)器）就是易失性存儲(chǔ)器的代表，它有包含有DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），他們之前不同在于生產(chǎn)工藝的不同，SRAM保存數(shù)據(jù)是靠晶體管鎖存的，DRAM保存數(shù)據(jù)靠電容充電來維持。SRAM的工藝復(fù)雜，生產(chǎn)[詳細(xì)]
DFT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片測(cè)試主要是為了篩選（Screen Out）出Flash陣列、譯碼器、寄存器的失效。測(cè)試流程（Test Flow）從wafer level，到single component level、module level，定義各項(xiàng)測(cè)試的次序，篩選出性能較差和失效的device，需要[詳細(xì)]
一、DIP雙列直插式封裝DIP(DualIn－linePackage)是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕 大多數(shù)中小規(guī)模集成電路(IC)均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過100個(gè)。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯 片插座上。當(dāng)然，也可以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的電路板上進(jìn)行焊接。[詳細(xì)]
STM32f1xxx的閃存模塊由：主存閃存、信息塊和閃存存儲(chǔ)器接口寄存器等3部分組成。各個(gè)部分的大小因不同型號(hào)有一定的差異，數(shù)據(jù)手冊(cè)可以看到小容量產(chǎn)品主存儲(chǔ)塊1-32KB，每頁(yè)1KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)2KB。中容量產(chǎn)品主存儲(chǔ)塊64-128KB，每頁(yè)1KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)2KB。大容量產(chǎn)品主存儲(chǔ)塊256KB以上，每頁(yè)2KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)2KB。主存儲(chǔ)器：[詳細(xì)]
W25X64 是華邦公司推出的大容量SPI FLASH 產(chǎn)品，W25X64 的容量為 64Mbit(8M)，該系列還有 W25Q80/16/32 等。W25X16,W25X32,W25X64分別有8192,16384,32768個(gè)可編程頁(yè),每頁(yè)256字節(jié),用扇區(qū)擦除指令每次可以擦除16頁(yè),用塊擦除指令每次可以擦除256頁(yè),用整片擦除指令既可以擦除整個(gè)芯片,W25X16,W25X32,W25X64分[詳細(xì)]
NAND Flash是一種非易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)介質(zhì)，基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計(jì)，通過浮柵來鎖存電荷，電荷被儲(chǔ)存在浮柵中，它們?cè)跓o電源供應(yīng)的情況下仍然可以保持。關(guān)于NAND Flash技術(shù)基本原理之前有過講解，大家可以參考文章閃存技術(shù)最全面解析。今天主要討論下NAND Flash生產(chǎn)過程、架構(gòu)和關(guān)鍵指標(biāo)。NAND Fl[詳細(xì)]
1，按照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-4），DDR4目前標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC官方頻率規(guī)格的為1600，1866，2133，2400，2666，3200，簡(jiǎn)單來說就是，這六個(gè)頻率為官方標(biāo)準(zhǔn)的原生默頻頻率（由于JEDC最高為3200，因此3200以上均為非規(guī)范頻率，比如XMP），1600和1866這兩個(gè)頻率將應(yīng)用在某些特殊行業(yè)及領(lǐng)域，零售領(lǐng)域從2133起售。在官方標(biāo)準(zhǔn)[詳細(xì)]
新一代DDR4與上一代DDR3內(nèi)存相比，新一代 DDR4 內(nèi)存性能有了大幅度提升，而且功耗還降低了不少。更讓大家興奮的是，目前它的價(jià)格和 DDR3 相差無幾。這難免令新裝機(jī)用戶心動(dòng)。但是首先非常遺憾的告訴大家，DDR3 與 DDR4 內(nèi)存相差較大，從外觀到參數(shù)都是絕對(duì)的變化，也不互相兼容。DDR4 內(nèi)存條每次內(nèi)存升級(jí)換代時(shí)[詳細(xì)]
一、基本特性容量256Mb，最小的組織單位是頁(yè)每個(gè)頁(yè)256個(gè)字節(jié)，可進(jìn)行頁(yè)編程(一次寫256個(gè)字節(jié))；16個(gè)頁(yè)組成4KB的扇區(qū)，可進(jìn)行扇區(qū)擦除，128個(gè)扇區(qū)組成32KB塊，64KB的組，可以整片擦除。256有8192個(gè)扇區(qū)和512個(gè)塊。 256支持標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口，2/4線SPI，SPI頻率最大104MHz，64位唯一序列號(hào)[詳細(xì)]
相較于EEPROM而言，SPI Flash的存儲(chǔ)空間簡(jiǎn)直就是打開了一個(gè)新世界。以W25Q16為例，16Mb也就是2MB的空間，是AT24C08芯片的1KB空間的2048倍，價(jià)格也沒有相差很多。同時(shí)使用SPI總線可以實(shí)現(xiàn)更高的讀寫速度，W25Qxx的SPI總線可以達(dá)到80MHz，這是IIC總線望塵莫及的，而且我比較喜歡用的STM32單片機(jī)的IIC總線總是讓人[詳細(xì)]
前言：這個(gè)所謂的芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）對(duì)于我這種一根筋的人是很難理解的，一直總覺得CPU是只能在RAM中運(yùn)行程序，為何能夠在Nor Flash中執(zhí)行程序呢，這里面就有個(gè)概念容易混淆，也可能是翻譯理解的問題。所謂片內(nèi)執(zhí)行不是說程序在存儲(chǔ)器內(nèi)執(zhí)行，CPU的基本功能是取指、譯碼、運(yùn)行。Nor Flash能在芯片內(nèi)執(zhí)行，指的是[詳細(xì)]
W25Q64是華邦公司推出的大容量SPI FLASH產(chǎn)品，其容量為64Mb。該25Q系列的器件在靈活性和性能方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過普通的串行閃存器件。W25Q64將8M字節(jié)的容量分為128個(gè)塊，每個(gè)塊大小為64K字節(jié)，每個(gè)塊又分為16個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)4K個(gè)字節(jié)。W25Q64的最小擦除單位為一個(gè)扇區(qū)，也就是每次必須擦除4K個(gè)字節(jié)。所以，這需要給W2[詳細(xì)]
1.SPI是串行外圍設(shè)備接口。SPI的接口主要應(yīng)用在EEPROM，F(xiàn)LASH，實(shí)時(shí)時(shí)鐘， AD 轉(zhuǎn)換器，還有數(shù)字信號(hào)處理器和數(shù)字信號(hào)解碼器之間。2. SPI，是一種高速的，全雙工，同步的通信總線，3.芯片的管腳上只占用四根線， STM32 也有 SPI 接口。4.Master與Slave :主機(jī)與從機(jī)。5.SPI 接口一般使用 4 條線通信：MISO 主設(shè)備[詳細(xì)]
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