德州儀器攜手臺達打造高效能服務器電源供應器
德州儀器（TI）宣布其氮化鎵（GaN）技術和 C2000™ 實時微控制器（MCU），輔以臺達（Delta Electronics）長期耕耘之電力電子核心技術，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設計高效、高功率的企業(yè)用服務器電源供應器（PSU）。
與使用傳統(tǒng)架構的企業(yè)服務器電源供應器相比，臺達研發(fā)的服務器電源供應器將功率密度提高了80%，效率提升1%。能源政策機構Energy Innovation1數(shù)據(jù)顯示，效率每提升1%，相當于每個數(shù)據(jù)中心節(jié)省了1兆瓦（或800戶家庭用電）的總所有成本。
臺達電源與系統(tǒng)事業(yè)群副總裁暨總經(jīng)理Jimmy Yiin表示，GaN技術已突破門坎，從人們口中的未來科技落地，成為當今電源系統(tǒng)設計中切實可行的一個選擇。通過引入新技術，臺達希望為服務器的電源供應器實現(xiàn)超過98%的效率，功率密度超過100瓦/立方英寸，GaN技術將變革現(xiàn)有的電源設計和架構。
在高電壓、高功率工業(yè)應用中，TI的GaN FET集成了快速開關驅(qū)動器，以及內(nèi)部保護和溫度感測功能，能夠更好地在有限的電路板空間內(nèi)實現(xiàn)高性能。
芯片通過4000萬小時以上的設備可靠性測試和超過5 GWh的功率轉換測試，可提供嚴謹可靠的數(shù)據(jù)，并可透過GaN構建更小、更輕、更高效的電源系統(tǒng)。
TI 的GaN電源解決方案同C2000™實時MCU相結合，可提供復雜的時延敏感處理、精確控制及軟件與外設的可擴展性等眾多優(yōu)勢。此外，這些MCU可支持不同的電源拓撲設計和高開關頻率，更大限度提升電源效率，充分發(fā)揮基于GaN的服務器供電單元的潛力。
編輯：ls 最后修改時間：2023-03-26
