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語(yǔ)言
STM32WB系支持無(wú)線功能的雙核 MCU，內(nèi)嵌 工作頻率為 64 MHz 的 Arm® Cortex®-M4 內(nèi)核【應(yīng)用處理器】和工作頻率為 32 MHz 的 Arm® Cortex®-M0+ 內(nèi)核【網(wǎng)絡(luò)處理器】。憑借兩款完全獨(dú)立內(nèi)核的創(chuàng)新型架構(gòu)設(shè)計(jì)，其針對(duì)實(shí)時(shí)執(zhí)行（無(wú)線相關(guān)的軟件處理）、資源使用靈活性、電源管理和 BOM 成本都進(jìn)行了[詳細(xì)]
基于ARM® Cortex®-M3的STM32 F2系列單片機(jī)采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的90 nm NVM制程制造而成，具有創(chuàng)新型自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器（ART加速器™）和多層總線矩陣， 實(shí)現(xiàn)了前所未有的高性價(jià)比。該系列MCU具有集成度高的特點(diǎn)：整合了1MB Flash存儲(chǔ)器、128KB SRAM、以太網(wǎng)MAC、USB 2.0 HS OTG、照相機(jī)接口、[詳細(xì)]
STM32 F3系列單片機(jī)具有運(yùn)行于72 MHz的32位ARM® Cortex®-M4內(nèi)核（帶有FPU和DSP指令）并集成多種模擬外設(shè)，從而降低應(yīng)用成本并簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)，它包括：• 超快速比較器（25 ns）• 具有可編程增益的運(yùn)算放大器• 12位DAC• 超快速12位ADC，單通道每秒5 M次采[詳細(xì)]
得益于意法半導(dǎo)體的ART Accelerator™ 加速器以及一級(jí)高速緩存【L1 CACHE】，不論是從內(nèi)部閃存還是外部存儲(chǔ)器執(zhí)行程序，STM32F7微控制器均能釋放Cortex-M7內(nèi)核的最高性能理論值: 在216 MHz fCPU主頻時(shí)，性能測(cè)試取得1082 CoreMark /462 DMIPS的成績(jī)。富有更多新外設(shè)的智能系統(tǒng)架構(gòu)STM32F7系列充分釋放Cort[詳細(xì)]
利用L1緩存，STM32H7 32位單片機(jī)實(shí)現(xiàn)了Cortex-M7內(nèi)核的最高理論性能——無(wú)論是從嵌入式閃存還是外部存儲(chǔ)器來(lái)執(zhí)行代碼：400 MHz 處理器頻率下性能可達(dá)到 2010 CoreMark /856 DMIPS。STM32H7系列32位MCU采用Cortex-M7內(nèi)核，具有新一代外設(shè)集的智能架構(gòu)• 面向內(nèi)核、外設(shè)和存儲(chǔ)器互連的AXI總線和多AHB總線矩陣[詳細(xì)]
STM32 L0 MCU的每個(gè)部分都通過優(yōu)化達(dá)到了卓越的低功耗水平。由此產(chǎn)生了功耗性能破紀(jì)錄的真正超低功耗MCU。ARM® Cortex®-M0+內(nèi)核與STM32單片機(jī)超低功耗特性的獨(dú)有結(jié)合，使STM32 L0 MCU非常適合電池供電或供電來(lái)自能量收集的應(yīng)用。STM32 L0微控制器提供了動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)、超低功耗時(shí)鐘振蕩器、LCD接口、比較[詳細(xì)]
鋰離子電池根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景可分為「動(dòng)力」、「消費(fèi)」和「工業(yè)與儲(chǔ)能」三種，盡管傳統(tǒng)使用鋰離子電池電子產(chǎn)品成長(zhǎng)趨緩，如手機(jī)、筆記本電腦、數(shù)碼產(chǎn)品等，近年來(lái)出現(xiàn)的多種新型產(chǎn)業(yè)增加了對(duì)鋰離子電池的需求，如：電動(dòng)工具、VR眼鏡、無(wú)人機(jī)與可穿戴設(shè)備等，鋰離子電池未來(lái)的重點(diǎn)應(yīng)用將集中在電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車、[詳細(xì)]
MCU是產(chǎn)品的核心，可以做單片機(jī)的廠家都很牛逼，芯唐電子作為臺(tái)產(chǎn)MCU的龍頭老大，自然也收到分銷渠道的關(guān)注，這也是本公司將新唐的單片機(jī)作為本公司的核心業(yè)務(wù)來(lái)做的原因。也有不少同行過來(lái)問，穎特新是怎么拿到代理的啊？新唐芯片代理有哪些要求？要求還真不少，具體的你可以去找芯唐原廠的人去談，大概的可以[詳細(xì)]
單片機(jī)的特殊功能寄存器SFR，是SRAM地址已經(jīng)確定的SRAM單元，在C語(yǔ)言環(huán)境下對(duì)其訪問歸納起來(lái)有兩種方法。1、采用標(biāo)準(zhǔn)C的強(qiáng)制類型轉(zhuǎn)換和指針來(lái)實(shí)現(xiàn)采用標(biāo)準(zhǔn)C的強(qiáng)制轉(zhuǎn)換和指針的概念來(lái)實(shí)現(xiàn)訪問MCU的寄存器，例如:#define DDRB (*(volatile unsigned char *)0x25)分析如下：A：(unsigned char *)0x25中的0x25[詳細(xì)]
大家知道，大家用MCU寫程序的時(shí)候，只有移位的語(yǔ)句，沒有循環(huán)移位的語(yǔ)句。那么如何實(shí)現(xiàn)循環(huán)移位呢，詳見下述： 循環(huán)移位區(qū)別于一般移位的是移位時(shí)沒有數(shù)位的丟失。循環(huán)左移時(shí)，用從左邊移出的位填充字的右端，而循環(huán)右移時(shí)，用從右邊移出的位填充字的左側(cè)。這種情況在系統(tǒng)程序中時(shí)有使用，在一些控制程[詳細(xì)]
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