基于ARM® Cortex®-M7內(nèi)核的STM32H7系列高性能MCU
利用L1緩存，STM32H7 32位單片機實現(xiàn)了Cortex-M7內(nèi)核的最高理論性能——無論是從嵌入式閃存還是外部存儲器來執(zhí)行代碼：400 MHz 處理器頻率下性能可達(dá)到 2010 CoreMark /856 DMIPS。
STM32H7系列32位MCU采用Cortex-M7內(nèi)核，具有新一代外設(shè)集的智能架構(gòu)
• 面向內(nèi)核、外設(shè)和存儲器互連的AXI總線和多AHB總線矩陣
• 16 KB I緩存和16 KB的D緩存
• 高達(dá)2 MB的嵌入式雙區(qū)閃存，具有ECC和同時讀寫能力
• 高速主直接存儲器訪問（MDMA）控制器、兩個用于優(yōu)化外設(shè)管理的具有FIFO和請求路由器能力的雙端口DMA以及一個額外的DMA
• Chrom-ART加速器，可高效地復(fù)制2D圖像。設(shè)備中的雙精度FPU，也是加速特性的一部分
• 雙時鐘架構(gòu)使得外設(shè)速度獨立于CPU速度，系統(tǒng)時鐘變化不影響外設(shè)工作
• 更多外設(shè)，例如四個支持SPDIF輸出的串行音頻接口（SAI）、三個全雙工I2S接口、一個支持四路輸入的SPDIF輸入接口、兩個具有專用供電的USB OTG模塊和雙模QSPI接口、兩個FD-CAN控制器、一個高精度定時器、一個TFT-LCD控制器、一個JPEG編解碼器、兩個SDIO接口以及很多其它模擬外設(shè)，比如三個快速14位ADC、兩個比較器和兩個運算放大器。
• 分散結(jié)構(gòu)的1 MB SRAM： 192 KB的TCM RAM（包括64 KB的ITCM RAM和128 KB的DTCM RAM，用于存放時間敏感的關(guān)鍵程序或數(shù)據(jù)），512 KB、288 KB和64 KB的用戶SRAM，以及能在最低功耗模式下保存數(shù)據(jù)的4 KB備份域SRAM。
安全性
在量產(chǎn)初始編程或在現(xiàn)場執(zhí)行固件升級時能進(jìn)行授權(quán)確認(rèn)并保護(hù)您的軟件IP。
高能效
• 多功耗域架構(gòu)允許在不同的功耗域設(shè)置不同的低功耗模式，以優(yōu)化功耗效率。除了在運行或停止模式期間可為內(nèi)核提供不同電壓的主穩(wěn)壓器外，設(shè)備還內(nèi)置有為內(nèi)嵌PHY供電的USB穩(wěn)壓器以及一個備份穩(wěn)壓器。
• 在運行模式（外設(shè)關(guān)閉），功耗典型值為278 μ/MHz @VDD = 3.3 V和25 °C
• 低功耗待機模式的功耗為7 μA
兼容性
• Cortex-M7向下兼容Cortex-M4指令集
• STM32H7系列32位微控制器與STM32F7系列公用封裝的引腳全兼容，與STM32F4系列的公用封裝的大部分引腳兼容 *
* 注意：關(guān)于100腳封裝的特例，請參看數(shù)據(jù)手冊
編輯：admin 最后修改時間：2023-03-22
