東芝NAND閃存：TC58NVG2S0HBAI4
TC58NVG2S0HBAI4
TC58NVG2S0HBAI 4是一個(gè)單一的3.3V 4Gbit(4，563，402，752位)NAND電可擦和可編程只讀存儲(chǔ)器(NAND E2PROM)組織為(4096 256)字節(jié)×64頁(yè)×2048塊。該設(shè)備具有兩個(gè)4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲(chǔ)單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(256千字節(jié)16字節(jié)：4352字節(jié)×64頁(yè))。
該 TC58 NVG2S0HBAI4 是一個(gè)串行類(lèi)型的存儲(chǔ)器設(shè)備，它利用 I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)輸入/ 輸出以及命令輸入。自動(dòng)執(zhí)行擦除和程序操作，使該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲(chǔ)、語(yǔ)音記錄、靜止相機(jī)圖像文件存儲(chǔ)器等應(yīng)用。以及其他需要高密度、非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-05
