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作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)模化應(yīng)用。
時隔不到2年，比亞迪半導體于近期全新推出1200V 1040A SiC功率模塊，模塊功率再創(chuàng)新高！
1200V 1040A高功率SiC模塊
▌“模”力超群，匹配更高功率新能源汽車平臺應(yīng)用
相較于市場主流的SiC功率模塊，1200V 1040A SiC功率模塊成功克服了模塊空間限制的難題，在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎(chǔ)上將模塊功率大幅提升了近30%，主要應(yīng)用于新能源汽車電機驅(qū)動控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設(shè)計、高散熱設(shè)計及車規(guī)級驗證等技術(shù)難題，充分發(fā)揮了 SiC 功率器件的高效、高頻、耐高溫優(yōu)勢。
1200V 1040A高功率SiC模塊
作為比亞迪半導體當前最高功率的SiC模塊，這款產(chǎn)品充分展現(xiàn)了比亞迪半導體對高效率的極致追求，后續(xù)也將匹配更高功率新能源汽車平臺應(yīng)用，充分發(fā)揮其大功率優(yōu)勢。
▌雙面燒結(jié)工藝助力功率提升
1200V 1040A SiC功率模塊，采用了雙面燒結(jié)工藝，即SiC MOSFET上下表面均采用燒結(jié)工藝進行連接，具備更出色的工藝優(yōu)勢與可靠性。
芯片下表面燒結(jié)工藝，連接層導熱率與可靠性提高
SiC MOSFET芯片下表面采用燒結(jié)工藝，相比傳統(tǒng)焊接工藝模塊，連接層導熱率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上；
芯片上表面燒結(jié)工藝，提升模塊工作結(jié)溫
芯片上表面采用燒結(jié)工藝，因燒結(jié)層具有的高耐溫特性，SiC 模塊工作結(jié)溫可提升至175℃，試驗證明，其可靠性是傳統(tǒng)工藝的4倍以上。
功率模塊封裝中幾種上表面工藝的優(yōu)劣對比
▌高效率、高集成、高可靠性方向不斷前進
比亞迪半導體致力于共同構(gòu)建車規(guī)級半導體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新生態(tài)，助力實現(xiàn)車規(guī)級半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)自主安全可控的目標。公司不斷加強科技創(chuàng)新能力，重視基礎(chǔ)科學研究和工藝創(chuàng)新，上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同合作實現(xiàn)產(chǎn)品性能最優(yōu)比，以車規(guī)級半導體為核心持續(xù)拓展下游應(yīng)用場景。
車規(guī)級半導體整體解決方案
在功率半導體方面，經(jīng)過多年的技術(shù)積累及發(fā)展整合，比亞迪半導體已成為國內(nèi)少數(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)車規(guī)級功率半導體量產(chǎn)裝車的IDM廠商之一，形成了包含芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝與測試、系統(tǒng)級應(yīng)用測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時比亞迪半導體擁有突出的科技創(chuàng)新能力，所生產(chǎn)的車規(guī)級功率半導體已在新能源汽車廠商中得到充分驗證并進行了批量應(yīng)用，在車規(guī)級功率半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控及重大突破。
自2005年布局功率半導體領(lǐng)域以來，比亞迪半導體篳路藍縷，一步一個腳印，先后在功率芯片發(fā)布完全自主研發(fā)的2.5代、4.0代、5.0代車用IGBT技術(shù)，并于2022年自主研發(fā)出最新一代精細化溝槽柵復合場終止IGBT6.0技術(shù)，產(chǎn)品性能及可靠性大幅提升，達到國際領(lǐng)先水平。
IGBT晶圓
此外，在模塊封裝方面，比亞迪半導體也勤勤懇懇、不懈努力，迄今已成功開發(fā)出一系列擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的功率模塊，累計裝車量和國內(nèi)市占率遙遙領(lǐng)先。
作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并批量應(yīng)用車規(guī)SiC功率模塊的半導體公司，比亞迪半導體以高效為核心，重點提升功率半導體效率，降低功率損耗；以智能、集成為核心，重點提高關(guān)鍵芯片智能化程度，滿足車規(guī)級高控制能力需求，最終達到集成化方案和協(xié)同化應(yīng)用的高度融合，使整車在定義智能化汽車當中實現(xiàn)所有的功能協(xié)同應(yīng)用。
后續(xù)，比亞迪半導體在功率半導體領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)深耕，在提高產(chǎn)品技術(shù)、完善產(chǎn)品系列等加強自身能力技術(shù)的基礎(chǔ)上同步實現(xiàn)產(chǎn)品的優(yōu)化升級，不斷優(yōu)化提升功率器件及模塊性能，向高效率、高集成、高可靠性方向繼續(xù)前行。
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