IGBT模塊的密勒電容影響
需要首先了解IGBT或IGBT模塊的寄生電容參數(shù)：
IGBT寄生電容是其芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)固有的特性，芯片結(jié)構(gòu)及簡(jiǎn)單的原理圖如下圖所示。輸入電容Cies及反饋電容Cres是衡量柵極驅(qū)動(dòng)電路的根本要素，輸出電容Coss限制開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程的dv/dt，Coss造成的損耗一般可以被忽略。
其中：Cies = CGE + CGC：輸入電容（輸出短路）Coss = CGC + CEC：輸出電容（輸入短路）Cres = CGC：反饋電容（米勒電容）動(dòng)態(tài)電容隨著集電極與發(fā)射極電壓的增加而減小，如下圖所示。
可以看出密勒電容在VCE電壓較小時(shí)有一個(gè)比較大的值，此時(shí)VCE的瞬變會(huì)通過(guò)此電容對(duì)IGBT柵極有明顯的影響，尤其在半橋電路中有可能造成寄生導(dǎo)通，需要多加注意，實(shí)際選型時(shí)往往CCE對(duì)Cies的比值越小越好。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2023-07-18
