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東芝推出N溝道功率MOSFET,有助于汽車設(shè)備實(shí)現(xiàn)高散熱和小型化

關(guān)鍵字:功率MOSFET| 東芝MOS 車規(guī)MOSFET 發(fā)布時間:2023-08-17

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

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自動駕駛系統(tǒng)等高安全級別的應(yīng)用可通過冗余設(shè)計(jì)確?煽啃,因此與標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)相比,它們集成了更多的器件,需要更多的表貼空間。所以,要進(jìn)一步縮小汽車設(shè)備的尺寸,需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用東芝的新型S-TOGLTM封裝(7.0mm×8.44mm[1]),其特點(diǎn)是采用無接線柱結(jié)構(gòu),將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結(jié)構(gòu)降低了封裝電阻。

與具有相同熱阻特性的東芝TO-220SM(W)封裝產(chǎn)品[2]相比,S-TOGLTM封裝與東芝U-MOS IX-H工藝相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻顯著降低11%。與TO-220SM(W)封裝相比,新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外,采用新型封裝的產(chǎn)品可提供200A漏極額定電流,高于東芝類似尺寸的DPAK+封裝(6.5mm×9.5mm[1])產(chǎn)品,從而實(shí)現(xiàn)了大電流。總體而言,S-TOGLTM封裝可實(shí)現(xiàn)高密度和緊湊布局,縮小汽車設(shè)備的尺寸,并有助于實(shí)現(xiàn)高散熱。

由于汽車設(shè)備可能在極端溫度環(huán)境下工作,因此表面貼裝焊點(diǎn)的可靠性是一個關(guān)鍵考慮因素。S-TOGLTM封裝采用鷗翼式引腳,可降低表貼應(yīng)力,提高焊點(diǎn)的可靠性。

當(dāng)需要并聯(lián)多個器件為應(yīng)用提供更大工作電流時,東芝支持這兩款新產(chǎn)品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設(shè)計(jì)使用同一組別的產(chǎn)品,從而減小特性偏差。

東芝將繼續(xù)擴(kuò)展其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線,并通過用戶友好型、高性能功率器件為實(shí)現(xiàn)碳中和做出貢獻(xiàn)。

  應(yīng)用

-    汽車設(shè)備:逆變器、半導(dǎo)體繼電器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動等

  特性

-     新型S-TOGLTM封裝:7.0mm×8.44mm(典型值)

-     高額定漏極電流:

XPJR6604PB:ID=200A

XPJ1R004PB:ID=160A

-     AEC-Q101認(rèn)證

-     提供IATF 16949/PPAP[4]

-     低導(dǎo)通電阻:

XPJR6604PB:RDS(ON)=0.53m?(典型值)(VGS=10V)

XPJ1R004PB:RDS(ON)=0.8m?(典型值)(VGS=10V)

  主要規(guī)格


新產(chǎn)品

現(xiàn)有產(chǎn)品

器件型號

XPJR6604PB

XPJ1R004PB

TKR74F04PB

TK1R4S04PB

極性

N溝道

系列

U-MOSIX-H

封裝

名稱

S-TOGLTM

TO-220SM(W)

DPAK+

尺寸(mm)

典型值

7.0×8.44,厚度=2.3

10.0×13.0,厚度=3.5

6.5×9.5,厚度=2.3

絕對最大額定值

漏極-源極電壓 VDSS(V)

40

漏極電流(DC) ID(A)

200

160

250

120

漏極電流(脈沖) IDP(A)

600

480

750

240

結(jié)溫 Tch(℃)

175

電氣特性

漏極-源極導(dǎo)通電阻

RDS(ON)(mΩ)

VGS=10V

最大值

0.66

1.0

0.74

1.35

結(jié)殼熱阻

Zth(ch-c)(℃/W)

Tc=25℃

最大值

0.4

0.67

0.4

0.83


注:

[1] 典型封裝尺寸,包括引腳。

[2] TKR74F04PB采用TO-220SM(W)封裝。

[3] 東芝可以提供分組出貨,每卷產(chǎn)品的柵極閾值電壓浮動范圍為0.4V。但是不允許指定特定組別。請聯(lián)系東芝銷售代表了解更多信息。

[4] 請聯(lián)系東芝銷售代表了解更多信息。

 

如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息,請?jiān)L問以下網(wǎng)址:

XPJR6604PB

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.XPJR6604PB.html

XPJ1R004PB

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.XPJ1R004PB.html

如需了解東芝車載MOSFET的更多信息,請?jiān)L問以下網(wǎng)址:

車載MOSFET

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/automotive-mosfets.html


*S-TOGLTM是東芝電子元件及儲存裝置株式會社的商標(biāo)。

*其他公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。

*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。

 

關(guān)于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,公司累積了半個多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新,為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。

公司22,200名員工遍布世界各地,致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化,東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng),共同開拓新市場,公司現(xiàn)已擁有超過8,598億日元(62億美元)的年銷售額,期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來并做出貢獻(xiàn)。

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