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據(jù)上海證券報(bào)報(bào)道，中國移動(dòng)2019年5G一期無線工程設(shè)計(jì)及可行性研究服務(wù)集采工作已經(jīng)啟動(dòng)。這是5G牌照發(fā)放后，我國的第一輪5G集中采購計(jì)劃。中國移動(dòng)人士表示，2019年5G一期無線工程設(shè)計(jì)及可行性研究服務(wù)預(yù)估工程費(fèi)1（設(shè)計(jì)費(fèi)計(jì)價(jià)基數(shù)）為192.578億元（不含稅）；預(yù)估工程費(fèi)2（可研計(jì)價(jià)基數(shù)）為192.578億元（不含[詳細(xì)]
2019年1月25日，加拿大廣播公司CBC的報(bào)道，加拿大政府準(zhǔn)備給諾基亞4000萬加元（約2億元人民幣），這筆錢用于5G的技術(shù)研究。曾經(jīng)赫赫有名的全球通信大國，卻落得求助芬蘭的下場，這是不是冥冥之中的報(bào)應(yīng)呢？ 加拿大曾經(jīng)的科技圖騰北電網(wǎng)絡(luò)，一部分成為愛立信的賺錢機(jī)器，一部分成為蘋果微軟的專利收益紅利；[詳細(xì)]
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面從而確保內(nèi)存穩(wěn)定，另外，DDR4內(nèi)存的金手指設(shè)計(jì)也有明顯變化，金手指中間的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。當(dāng)然[詳細(xì)]
DDR=Double Data Rate，即雙倍數(shù)據(jù)速率。DDRSDRAM=雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，人們習(xí)慣稱為DDR。其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展[詳細(xì)]
SDR：Single Data Rate, 單倍速率DDR：Dual Data Rate， 雙倍速率QDR：Quad Data Rate， 四倍速率DRAM：Dynamic RAM， 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器， 每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)才能夠保存數(shù)據(jù)SRAM：Static RAM， 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器， 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失SDRAM: Synchronous DRAM， 同步狀態(tài)隨機(jī)[詳細(xì)]
DRAM內(nèi)部分割成多個(gè)L-Bank，每個(gè)L-Bank形狀相同，彼此獨(dú)立，可以獨(dú)立工作。早期的DRAM芯片內(nèi)部分為2個(gè)L-Bank，后來是4個(gè)，DDR3內(nèi)存芯片為8個(gè)。在進(jìn)行尋址時(shí)需要先確定是哪個(gè)L-Bank，然后再在這個(gè)選定的L-Bank中選擇相應(yīng)的行與列進(jìn)行尋址。對(duì)內(nèi)存的訪問，一次只能是一個(gè)L-Bank，而每次與CPU交換的數(shù)據(jù)就是 L-Ban[詳細(xì)]
1.NAND顆粒：浮柵極物理結(jié)構(gòu)單元，通過電壓驅(qū)動(dòng)電子，由電壓值來判定bit位0或1。分為SLC、MLC、TLC三種flash顆粒，擦除次數(shù)分別為1萬-10萬、1千-1萬、幾百-1千次。壽命是NAND Flash的最大問題，其次是由于特殊的結(jié)構(gòu)，擦除時(shí)延較大，在大量寫的時(shí)候由于垃圾回收機(jī)制導(dǎo)致較大時(shí)延，但由于HDD的存在，NAND Flash在[詳細(xì)]
NAND FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖見圖1，可見每個(gè)Bit Line下的基本存儲(chǔ)單元是串聯(lián)的，NAND讀取數(shù)據(jù)的單位是Page，當(dāng)需要讀取某個(gè)Page時(shí)，F(xiàn)LASH 控制器就不在這個(gè)Page的Word Line施加電壓，而對(duì)其他所有Page的Word Line施加電壓（電壓值不能改變FloatingGate中電荷數(shù)量），讓這些Page的所有基本存儲(chǔ)單元的D和S導(dǎo)通，而我們[詳細(xì)]
NOR FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖圖1，可見每個(gè)Bit Line下的基本存儲(chǔ)單元是并聯(lián)的，當(dāng)某個(gè)Word Line被選中后，就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)該Word的讀取，也就是可以實(shí)現(xiàn)位讀。碦andom Ａccess），且具有較高的讀取速率，圖2是一個(gè)3*8bit的NOR FLASH的原理結(jié)構(gòu)圖，圖3是沿Bit Line切面的剖面圖，展示了NOR FLASH的硅切面示意圖，這種并[詳細(xì)]
NOR(或非)和NAND(與非)是市場上兩種主要的Flash閃存，sNORFLASH 和CPU之間不需要其他電路控制，NOR flash可以芯片內(nèi)執(zhí)行程序，而NAND FLASH 和CPU 的接口必須由相應(yīng)的控制電路進(jìn)行轉(zhuǎn)換， NAND FLASH 以塊的方式進(jìn)行訪問，不支持芯片內(nèi)執(zhí)行。 NAND FLASH 比NOR FLASH 容量大，價(jià)格低， NAND flash中每個(gè)塊的[詳細(xì)]
Nand Flash因?yàn)槠潆姎馓匦，讀和寫是按頁來讀取的，而擦除是按照塊來擦除的，了解這些，我們就比較容易去理解Nand Flash的擦寫次數(shù)與使用壽命。通常，一個(gè)對(duì)NAND的寫操作包括如下步驟:1) 從NAND中讀取一個(gè)頁面，內(nèi)容放入NANDflash的寄存器中。2) 更新寄存器中的內(nèi)容3) 找一個(gè)空白頁4)[詳細(xì)]
相較于EEPROM而言，SPI Flash的存儲(chǔ)空間簡直就是打開了一個(gè)新世界。以W25Q16為例，16Mb也就是2MB的空間，是AT24C08芯片的1KB空間的2048倍，價(jià)格也沒有相差很多。同時(shí)使用SPI總線可以實(shí)現(xiàn)更高的讀寫速度，W25Qxx的SPI總線可以達(dá)到80MHz，這是IIC總線望塵莫及的，而且我比較喜歡用的STM32單片機(jī)的IIC總線總是讓人[詳細(xì)]
什么是固態(tài)硬盤固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（Solid State Disk或Solid State Drive，簡稱SSD），俗稱固態(tài)硬盤，固態(tài)硬盤是用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤，是由FLASH閃存作為基礎(chǔ)存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)設(shè)備，SSD由控制單元和存儲(chǔ)單元（FLASH芯片、DRAM芯片）組成。被廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電[詳細(xì)]
穎特新科技訊：2019年9月2日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲(chǔ)”）在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking®架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。作為中國首款64層3DNAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺(tái)[詳細(xì)]
FLASH閃存目前有兩種類型分別是NOR和NAND，1988年inter首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)，F(xiàn)在就來講講二者的主要區(qū)別吧。一.存儲(chǔ)區(qū)別NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行，這樣應(yīng)用程序可以接在flash閃存內(nèi)運(yùn)[詳細(xì)]
RAS： Row Address Strobe，行地址選通脈沖；CAS： Column Address Strobe，列地址選通脈沖；tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延遲；CL： CAS Latency，CAS潛伏期（又稱讀取潛伏期），從CAS與讀取命令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)輸[詳細(xì)]
三星半導(dǎo)體的eUFS有哪些呢？以下是穎特新工程師為客戶整理的SamSung 常用eUFS 型號(hào)列表，可方便客戶選型。Part NumberVersionDensityVoltagePackage SizeKLUBG4G1ZF-B0CPUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUBG4G1ZF-B0CQUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUCG2K1EA-B0C1UFS 2.164GB1.8 / 3.3[詳細(xì)]
單片機(jī)的分為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器。單片機(jī)內(nèi)部的存儲(chǔ)器稱為片內(nèi)存儲(chǔ)器，片外擴(kuò)展的存儲(chǔ)器成為片外存儲(chǔ)器。比如8031內(nèi)部有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器而沒有程序存儲(chǔ)器，所以它一般要外接一塊程序存儲(chǔ)芯片，內(nèi)部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器叫做9031的片內(nèi)存儲(chǔ)器，外部擴(kuò)展的存儲(chǔ)芯片叫做片外存儲(chǔ)器。早期，片內(nèi)存儲(chǔ)器，還是片外存儲(chǔ)器，確實(shí)[詳細(xì)]
關(guān)于程序的執(zhí)行，以前想的不多，沒有意識(shí)到一個(gè)程序在運(yùn)行時(shí)，從哪里讀指令，數(shù)據(jù)又寫在哪里。最近在看CSAPP時(shí)這個(gè)念頭經(jīng)常在腦袋中晃蕩。從單片機(jī)上知道，在上電的那一刻，MCU的程序指針PC會(huì)被初始化為上電復(fù)位時(shí)的地址，從哪個(gè)地址處讀取將要執(zhí)行的指令，由此程序在MCU上開始執(zhí)行(當(dāng)然在調(diào)用程序的 main之前[詳細(xì)]
在硬件工程師和普通用戶看來，內(nèi)存就是插在或固化在主板上的內(nèi)存條，它們有一定的容量——比如64 MB。但在應(yīng)用程序員眼中，并不過度關(guān)心插在主板上的內(nèi)存容量，而是他們可以使用的內(nèi)存空間——他們可以開發(fā)一個(gè)需要占用1 GB內(nèi)存的程序，并讓其在OS平臺(tái)上運(yùn)行，哪怕這臺(tái)運(yùn)行主機(jī)上只[詳細(xì)]
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