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語(yǔ)言
場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。（一）如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管擊穿 由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的[詳細(xì)]
碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)？ （一）開關(guān)損耗 碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)，下圖1是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1) 在同一平臺(tái)下進(jìn)行開關(guān)損耗的對(duì)比測(cè)試結(jié)果。母線電壓800V, 驅(qū)動(dòng)電阻RG=2.2Ω，驅(qū)動(dòng)電壓為15V/-5V。使用1200V/20A G5 肖特基二極管 IDH20G120C5作為續(xù)流二極管。[詳細(xì)]
MOS管 KNX3108A 110A/80V產(chǎn)品參數(shù) MOS管 KNX3108A 110A/80V產(chǎn)品封裝 MOS管 KNX3108A 110A/80V產(chǎn)品規(guī)格書查看及下載規(guī)格書，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖 MOS管 KNX3108A 110A/80V產(chǎn)品公司簡(jiǎn)介深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)[詳細(xì)]
電動(dòng)車控制器是用來控制電動(dòng)車電機(jī)的啟動(dòng)、運(yùn)行、進(jìn)退、速度、停止以及電動(dòng)車的其它電子器件的核心控制器件，它就像是電動(dòng)車的大腦，是電動(dòng)車上重要的部件。電動(dòng)車就來看主要包括電動(dòng)自行車、電動(dòng)二輪摩托車、電動(dòng)三輪車、電動(dòng)三輪摩托車、電動(dòng)四輪車、電瓶車等，電動(dòng)車控制器也因?yàn)椴煌能囆投胁煌男阅芎?a title="電動(dòng)車控制器重要節(jié)點(diǎn) MOS管" href="http://tjeye.net/products/mosfet/55629.shtml" class="float-end">[詳細(xì)]
MOS管 70A/30V KCX3503S產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=2.6mΩ(Typ.)@VGS=10V 先進(jìn)的溝漕技術(shù) 低柵極電荷 符合RoHS和無鹵標(biāo)準(zhǔn) MOS管 70A/30V KCX3503S產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域臺(tái)式機(jī)的電源管理 DC/DC轉(zhuǎn)換器 MOS管 70A/30V KCX3503S產(chǎn)品參數(shù) MOS管 70A/30V KCX3503S產(chǎn)品規(guī)格書查看及下載規(guī)格書，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖 [詳細(xì)]
MOS管 -35A/-100V 8610A產(chǎn)品簡(jiǎn)介 KPD8610A采用先進(jìn)的溝道MOSFET技術(shù)，提供優(yōu)良的開關(guān)器件和柵極。KPD8610A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%EAS保證。 MOS管 -35A/-100V 8610A產(chǎn)品特點(diǎn)RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V 100% EAS保證 綠色設(shè)備 超低柵電荷 先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù) MOS管 -35A/-100V 8610A產(chǎn)品封裝 MOS管 -35[詳細(xì)]
MOS管 KNX7606A 25A/60V產(chǎn)品介紹 KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet，為大多數(shù)同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵極電荷，KNX7606A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求。KIA半導(dǎo)體產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)良，KIA半導(dǎo)體執(zhí)行的全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設(shè)計(jì)開始，一直貫徹到客戶使用的全過程跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質(zhì)量[詳細(xì)]
mos管的電路符號(hào)詳解。MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)[詳細(xì)]
MOS管輸出特性曲線詳解，穎特新的小編告訴大家，三極管是利用Ib的電流去控制電流Ic的，所以說三極管是電流控制電流的器件。 而MOS管是利用Ugs的電壓去控制電流Id的，所以說MOS管是電壓控制電流的器件。對(duì)于N溝道增強(qiáng)型的MOS管，當(dāng)Ugs>Ugs(th)時(shí)，MOS就會(huì)開始導(dǎo)通，如果在D極和S極之間加上一定的電壓,就會(huì)有[詳細(xì)]
n溝道和p溝道圖片詳解，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是[詳細(xì)]
碳化硅mosfet 本文主要講硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別。我們先來看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。 碳化硅mosfet驅(qū)動(dòng)與硅IGBT的區(qū)別硅IGBT與[詳細(xì)]
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