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碳化硅igbt的優(yōu)勢(shì)是什么？什么是碳化硅？碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或[詳細(xì)]
電路板上mos管好壞判斷，主要是用指針式萬用表對(duì)MOS管進(jìn)行判別。本文將會(huì)從5點(diǎn)來解析。MOS管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。[詳細(xì)]
什么是MOS管？ mos器件的工作原理是什么？MOS管是什么？MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時(shí)候又稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。 mos器件的工作原理 mos器件的工作原理，從上圖一可以看出增強(qiáng)型[詳細(xì)]
MOS管 KNX4850S 8A/500V產(chǎn)品特征RDS(ON)=0.7Ω(typ)@VGS=10V 符合RoHS 低導(dǎo)通電阻 低柵極電荷 峰值電流與脈沖寬度曲線MOS管 KNX4850S 8A/500V產(chǎn)品封裝 MOS管 KNX4850S 8A/500V產(chǎn)品參數(shù) MOS管 KNX4850S 8A/500V產(chǎn)品規(guī)格書查看及下載規(guī)格書，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。 [詳細(xì)]
在電源設(shè)計(jì)中，安全往往是第一位的。在開關(guān)電源中也是如此，接地能夠保護(hù)使用者的人身安全，并且確保電力設(shè)備的正常運(yùn)行。那么在開關(guān)電源中合適的接地方式是什么？常見的接地符號(hào)又有哪些呢？（一）接地的定義是什么？ 在現(xiàn)代接地概念中、對(duì)于線路工程師來說，該術(shù)語的含義通常是“線路電壓的參考點(diǎn)”。對(duì)于系統(tǒng)[詳細(xì)]
晶體管 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電信號(hào)來控制自身[詳細(xì)]
MOS管 KNX3502A 70A/20V產(chǎn)品介紹KIA半導(dǎo)體產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)良，KIA半導(dǎo)體執(zhí)行的全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設(shè)計(jì)開始，一直貫徹到客戶使用的全過程跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品，在相關(guān)環(huán)節(jié)的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效受控，確保提供給客戶的產(chǎn)品是安全可靠的。KNX3502A采用先進(jìn)的[詳細(xì)]
MOS門控晶閘管是什么？MOS控制晶閘管由VAK Temple開發(fā)。它是一個(gè)電壓控制器，晶閘管是完全可控的晶閘管。MOS控制晶閘管的操作與GTO晶閘管非常相似，但是它具有電壓控制絕緣的柵極。它具有兩個(gè)用于導(dǎo)通和關(guān)斷的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），并且在等效電路中具有相反的導(dǎo)電率。如果等效電路有一個(gè)晶[詳細(xì)]
MOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品特征VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.08Ω@VGS=10V,ID=3.0A VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.11Ω@VGS=4.5V,ID=2.0AMOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品封裝 MOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品參數(shù)詳情 MOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品規(guī)格書查看及下載規(guī)格書，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。 MOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品公司簡(jiǎn)介深圳[詳細(xì)]
功率mosfet功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率mosfet工作原理及其他詳解 截止：漏源極間加正電源，柵源極間[詳細(xì)]
MOS管 70A/30V KCX3503S產(chǎn)品介紹深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。 KIA半導(dǎo)體有強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái)，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng)，并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造[詳細(xì)]
半導(dǎo)體如何區(qū)分，根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同，來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體：容易導(dǎo)電的物體。如：鐵、銅等等；絕緣體：幾乎不導(dǎo)電的物體。如：橡膠等等；半導(dǎo)體：半導(dǎo)體是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和半導(dǎo)體之間的物體。在一定條件下可導(dǎo)電。半導(dǎo)體的電阻率為10-3～109Ω·cm。典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷[詳細(xì)]
在本文中穎特新小編主要解析功率mos管為何會(huì)被燒毀。mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。 Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪[詳細(xì)]
本文主要是講mos管替換原則及MOS管好壞判斷，現(xiàn)來看看mos管替換原則及電子元件器件的替換原則。 近幾年，電子產(chǎn)業(yè)外部環(huán)境變幻頻繁，原廠并購與整合代理線、中美貿(mào)易戰(zhàn)、元器件缺貨輪番上演……產(chǎn)業(yè)不穩(wěn)定因素增加，給電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈帶來挑戰(zhàn)。元器件替代成為熱門話題，如何快速高效找到替代供應(yīng)商，非常關(guān)鍵。[詳細(xì)]
mos管開關(guān)電路MOS管開關(guān)電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。P溝道MOS管開關(guān)電路 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與[詳細(xì)]
開關(guān)電源的電路組成開關(guān)電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。輔助電路有輸入過欠壓保護(hù)電路、輸出過欠壓保護(hù)電路、輸出過流保護(hù)電路、輸出短路保護(hù)電路等。開關(guān)電源的電路組成方框圖如下: 輸入電路的原理以及常見的電路（1）AC輸[詳細(xì)]
FET概述 FET即Field Effect Transistor，譯為場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也叫場(chǎng)效應(yīng)管，是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)。有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極。 FET原理簡(jiǎn)述 現(xiàn)在越來越多的電子電路都在使[詳細(xì)]
MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B詳細(xì)資料 1、MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B-特點(diǎn)RDS(ON)=7mΩtyp@VGS=10V 提供無鉛綠色設(shè)備 低Rds開啟以最小化導(dǎo)電損耗 2、MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B-參數(shù) 3、MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B-封裝圖 4、MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B-規(guī)格書查看及下載規(guī)格書，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖 [詳細(xì)]
MOS管 MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時(shí)候又稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。 MOS管這個(gè)器件有兩個(gè)電極，分別是漏極D和源極S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體[詳細(xì)]
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