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開關(guān)電源知識-關(guān)于開關(guān)電源一些經(jīng)典回答匯總分析 開關(guān)電源是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備，例如個人電腦，而開關(guān)[詳細]
mos管的特點 mos管的特點是什么？MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件；和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機、通信[詳細]
電路由金屬導(dǎo)線和電氣、電子部件組成的導(dǎo)電回路，稱為電路。在電路輸入端加上電源使輸入端產(chǎn)生電勢差，電路連通時即可工作。電流的存在可以通過一些儀器測試出來，如電壓表或電流表偏轉(zhuǎn)、燈泡發(fā)光等；按照流過的電流性質(zhì)，一般把它分為兩種：直流電通過的電路稱為“直流電路”，交流電通過的電路稱為“交流電路[詳細]
MOS管 3503 70A/30V原廠簡介 深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。擁有獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個性來設(shè)計方案，同時引進[詳細]
在電子電路設(shè)計當中很多情況下都要考慮EMC的問題。在設(shè)計中使用MOS管時，在添加散熱片時可能會出現(xiàn)一種比較糾結(jié)的情況。當MOS管的EMC通過時，散熱片需要接地，而在散熱片不接地的情況下，EMC是無法通過的。那么為何會出現(xiàn)這種現(xiàn)象呢？簡單來說，針對傳導(dǎo)可以將一些開關(guān)輻射通過散熱器傳導(dǎo)到大地回路，減弱了走傳[詳細]
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。 MOS管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，無論是在 IC 設(shè)計里，還是板級電路應(yīng)用上，都十分廣泛，尤其在大功[詳細]
MOS管 50N06 50A/60V產(chǎn)品介紹 KIA50N06C是一種N溝道增強型的Mosfet場效應(yīng)晶體管，使用了KIA半導(dǎo)體的LV Mosfet技術(shù)。改進的工藝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)特別適合最小化通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能。這種裝置廣泛應(yīng)用于UPS、逆變器系統(tǒng)的電源管理等領(lǐng)域。 MOS管 50N06 50A/60V產(chǎn)品參數(shù) MOS管 50N06 50A/60V產(chǎn)品封裝 MOS管[詳細]
閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。 MOS管閾值電壓與溝長和溝寬的關(guān)系 關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對其閾值電壓 Vth [詳細]
10A mos管型號表 也可選貝嶺系列產(chǎn)品Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） ciss pF KNX6140A 10 400 0.35 0.5 1254 KNX6165B 10 650 0.75 0.9 1650 KNX6180A 10 800 1 1.15 2910 KNX4810A 9 100 0.14 0.16 950 KNX4820B 9 200 0.25 0.3 418 KIA6035A 11[詳細]
mos管炸機-MOS管炸不炸機 原因的關(guān)鍵看這里 mos管炸機 mos管炸機是電源工程師最怕的，mos管炸機！用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。 我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電[詳細]
MOS管 3008 120A/85V產(chǎn)品規(guī)格書詳情 免費送樣 技術(shù)支持 原廠直銷 MOS管 3008 120A/85V產(chǎn)品參數(shù)詳情 MOS管 3008 120A/85V產(chǎn)品封裝圖 MOS管 3008 120A/85V產(chǎn)品規(guī)格書 查看規(guī)格書，請點擊下圖。 MOS管 3008 120A/85V原廠介紹 選擇到一款正確的MOS管，[詳細]
MOS管開關(guān)電流知識-mosfet管開關(guān)電流波形問題分析 MOS管開關(guān)電路 MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。 P溝道MOS管開關(guān)電路 路編輯PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合[詳細]
電源設(shè)計知識解析-電源設(shè)計中的去耦電容應(yīng)用實例 電源往往是我們在電路設(shè)計過程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。其實，作為一款優(yōu)秀的設(shè)計，電源設(shè)計應(yīng)當是很重要的，它很大程度影響了整個系統(tǒng)的性能和成本。 大家對電容的概念大多還停留在理想的電容階段，一般認為電容就是一個C。卻不知道電容還有很多重[詳細]
什么是MOS管 MOS管是金屬 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半導(dǎo)體 (semiconductor) 場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬 — 絕緣體 (insulator) — 半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能，這樣的器件被認[詳細]
MOS管 2708 160A/80V參數(shù)詳情、封裝、規(guī)格書詳情 免費送樣 MOS管 2708 160A/80V產(chǎn)品特點 專有的新型溝槽技術(shù) RDS(ON),typ.=4.0mΩ@VGS=10V 低柵電荷使開關(guān)損耗最小化 MOS管 2708 160A/80V產(chǎn)品參數(shù) MOS管 2708 160A/80V產(chǎn)品封裝圖 MOS管 2708 160A/[詳細]
MOS管、三極管、IGBT之間的因果關(guān)系 區(qū)別與聯(lián)系最全解析 大家都知道MOS管、三極管、IGBT的標準定義，但是很少有人詳細地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說IGBT是由BJT和MOS組成的，它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系，在應(yīng)用的時候，什么時候能選擇IGBT、什么時候選擇BJT、什么時候又選擇MOSFET管[詳細]
MOS管 9150 40A/500V原廠優(yōu)勢 1、我們愿意為客戶做產(chǎn)品調(diào)整 2、提高客戶產(chǎn)品技術(shù)保密性與性價比 3、擁有高效反應(yīng)的設(shè)計團隊 4、擁有設(shè)計與制造一體化服務(wù) MOS管 9150 40A/500V產(chǎn)品特性 先進高級的平面工藝 RDS(ON),typ.=88mΩ@VGS=10V 低柵電荷使開關(guān)損耗最小化 堅固的多晶硅柵結(jié)構(gòu) 選擇到一款正確的MOS管，可以[詳細]
MOS管源極和漏極是否可以互換使用分析 MOS管源極和漏極是否能互換使用？ 結(jié)型場效應(yīng)管的源極S和漏極在制造工藝上是對稱的，可以互換使用。如把3DJ6應(yīng)用于功效前置級，D、S極互換后，電路工作狀態(tài)并無變化。 MOS管的襯底B與源極如果不連在一起，則D、S極可以互換，但有的MOS管由于結(jié)構(gòu)上的原因（即襯底B與源極S[詳細]
MOS管 3112 110A/120V原廠（參數(shù)、封裝、價格）免費送樣 品質(zhì)保證 MOS管 3112 110A/120V產(chǎn)品特性 采用CRM(CQ)先進的溝槽技術(shù) 極低通阻RDS(on) 符合JEDEC標準 RDS(on)=7mΩ（typ.)@VGS=10V MOS管 3112 110A/120V產(chǎn)品封裝圖 MOS管 3112 110A/120V產(chǎn)品參數(shù) [詳細]
場效應(yīng)管知識-場效應(yīng)管主要參數(shù)、作用和特點詳解 場效應(yīng)管簡介 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極[詳細]
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