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場效應管知識詳解-細說場效應管類型及其他知識（圖文） 場效應管分為結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管），本文主要講場效應管分類，各種場效應管的工作特點及根據(jù)特性曲線能判斷管子的類型。 場效應管的特點 了解場效應管分類之前，我們來看看場效應管的特點有哪些？ [詳細]
什么是場效應管（FET）-場效應管（FET）分類、原理、用途等知識詳解 場效應管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管。按照結(jié)構、原理可以分為：1、接合型場效應管 2、MOS型場效應管 （一）場效應管（FET）-接合型場效應管（結(jié)型FET） 1、原理 N通道接合型場效應管[詳細]
MOS管知識-MOS管參數(shù)（極限參數(shù)與靜態(tài)參數(shù)）及作用解析本文主要分析MOS管參數(shù)，講=MOS管即金屬氧化物半導體場應管，是電路設計中常用的功率開關器件，為壓控器件；MOS管有三個電極： 柵極G： MOS管的控制端，全名為：GATE，在G端加入高低電平即可控制MOS管的開斷。對于NMOS管而言，要求Vgs>0時，MOS管導通，[詳細]
mos管功耗-mos管功耗計算方法及MOS驅(qū)動基礎 MOS管功耗，要確定一個MOSFET場效應管是否適于某一特定應用，需要對其功率耗散進行計算。耗散主要包括阻抗耗散和開關耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHING mos管功耗-低功耗趨勢 封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進步，相同電[詳細]
MOS管 3320 90A/200V規(guī)格書參數(shù)詳情 原廠直銷 免費送樣 MOS管 3320 90A/200V產(chǎn)品特性 專用的新平面技術 RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=10V 低柵電荷使開關損耗最小化 MOS管 3320 90A/200V產(chǎn)品封裝圖 MOS管 3320 90A/200V產(chǎn)品參數(shù)詳情 MOS管 3320 90[詳細]
從原理的視角，一文徹底區(qū)分MOS NMOS PMOS CMOS，詳細請查看下文。mos管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型，MOS又分N型、P型MOS管。 （一）由基礎說起 半導體的基礎材料是硅晶體，硅這種材料，在化學元素周期表里是四族元素，硅從微觀上看每個原子最外層有4個電子，我們知道，外層[詳細]
不只是輸出驅(qū)動. 整個 數(shù)字 CMOS (Complementary-MOSFET) Technology的核心 都是: PMOS Pull-up, NMOS Pull-down。原因是PMOS適合傳導高電平 (接近VDD), NMOS適合傳導低電平(接近ND/VSS)。在CMOS Technology下, 正常NMOS是長這樣的： NMOS一階電流公式如下： 那么假設我們用NMOS來傳輸一個高電平: 我們就需要[詳細]
電路小常識-電子工程師必備的40個模擬電路知識 由金屬導線和電氣、電子部件組成的導電回路，稱為電路。在電路輸入端加上電源使輸入端產(chǎn)生電勢差，電路連通時即可工作。 隨著半導體技術和工藝的飛速發(fā)展，電子設備得到了廣泛應用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門很基礎的專業(yè)課，對于學生[詳細]
800V MOS管選型表-MOS管產(chǎn)品信息及優(yōu)質(zhì)MOS管品牌推薦 800V MOS管-高壓 MOS管型號表 Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% [詳細]
晶體管是指可以執(zhí)行開關和放大的半導體器件。 它可以用作開關或放大器的電子設備稱為有源組件。 電開關和放大并不是從1948年晶體管的發(fā)明開始的。 但是，本發(fā)明是一個新時代的開始，因為與晶體管擴散之前使用的有源組件（稱為真空管）相比，晶體管體積小，效率高且具有機械彈性。下面我們先來看看PN結(jié)。 PN結(jié)二[詳細]
MOS管 400V選型 Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） ciss pF KNX9130A 40 300 0.11 0.13 3100 KNX3730A 50 300 0.05 0.065 3400 KIA6035A 11 350 0.38 0.48 844 KNX4540A 6 400 0.8 1 490 KNX6140A 10 400 0.35 0.5 1254 以上是MOS管 400V選型參數(shù)表，選擇[詳細]
（一）IGBT IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。 IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣泛的應用。 IGBT是電壓控制電流，可是說是集成塊[詳細]
逆變器場效應管選型表及MOS品牌-逆變器中場效應管發(fā)熱的原因有哪些 選擇到一款正確的MOS管，可以很好地控制生產(chǎn)制造成本，最為重要的是，為產(chǎn)品匹配了一款最恰當?shù)脑骷，這在產(chǎn)品未來的使用過程中，將會充分發(fā)揮其“螺絲釘”的作用，確保設備得到最高效、最穩(wěn)定、最持久的應用效果。 逆[詳細]
場效應管 場效應管一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。 它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊[詳細]
結(jié)型場效應管JFET知識詳解（附上圖文）結(jié)構及四個工作區(qū) 什么是場效應管（JFET） 場效應管（JFET）它不僅具有雙極型三極管的體積小,重量輕,耗電少,壽命長等優(yōu)點,而且還具有輸入電阻高,熱穩(wěn)定性好,抗輻射能力強,噪聲低,制造工藝簡單,便于集成等特點.因而,在大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用.根據(jù)結(jié)構[詳細]
MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應用的非常廣泛的一種場效晶體管。三極管也成為雙極型晶體管，他能夠控制電流的的流動，將較小的信號放大成為幅值較高的電信號。MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時，這兩者有什么區(qū)別呢? MOSFET和三極管，在ON狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。[詳細]
mos管推挽電路組成結(jié)構與特點 晶體管和CMOS驅(qū)動級推挽電路圖 推挽電路 mos管推挽電路，什么是推挽電路。推挽電路就是兩個不同極性晶體管間連接的輸出電路。推挽電路采用兩個參數(shù)相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于電路中，各負責正負半周的波形放大任務，電路工作時，兩只對稱的功率開關管每次只有一[詳細]
MOS管 4810 9A/100V規(guī)格書 品牌推薦 MOS管原廠直銷 免費送樣 MOS管 4810 9A/100V產(chǎn)品特性 RDS(ON)=140mΩ(Typ.)@VGS=10V N溝道增強型，邏輯電平5V Pb-free鍍鉛;通過無鉛認證 MOS管 4810 9A/100V產(chǎn)品參數(shù) MOS管 4810 9A/100V產(chǎn)品封裝圖 MOS管 4810 [詳細]
1，MOS管種類和結(jié)構MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常[詳細]
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