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美光32Gb單裸片DRAM的128GbRDIMM存儲芯片

關(guān)鍵字:美光DRAM 美光存儲 美光RDIMM內(nèi)存 發(fā)布時間:2023-11-23

     最近,Micron Technology 宣布推出了基于 32Gb 單裸片的 128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存,具有高達 8,000 MT/s 速率的一流性能,可支持當(dāng)前及未來的數(shù)據(jù)中心工作負載。這款大容量、高速率內(nèi)存模塊專為數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用而設(shè)計,例如人工智能(AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(IMDB) 以及需要對多線程、多核通用計算工作負載進行高效處理的場景,滿足它們對于性能和數(shù)據(jù)處理的需求。

      美光基于 32Gb DDR5 DRAM 裸片的 128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存采用 1β(1-beta)制程技術(shù),相較于采用 3DS 硅通孔(TSV) 技術(shù)的競品,在以下方面得到顯著提升:· 容量密度提升超過 45%· 能效提升高達 24%· 延遲降低高達 16%· AI 訓(xùn)練性能提升高達 28%

       美光最近推出了基于1β先進制程的DRAM,速率高達8000MT/s,為生成式AI等內(nèi)存密集型應(yīng)用提供更出色的解決方案。

       美光副總裁兼計算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Praveen Vaidyanathan表示,美光128GB DDR5 RDIMM為數(shù)據(jù)中心大容量、高速內(nèi)存樹立了新標(biāo)桿,為計算密集型工作負載提供所需的內(nèi)存帶寬和容量。美光將繼續(xù)提供先進技術(shù),為設(shè)計和集成大容量內(nèi)存解決方案提供更及時的支持,促進數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。

        美光的32Gb DDR5內(nèi)存解決方案采用創(chuàng)新的裸片架構(gòu),實現(xiàn)了卓越的陣列效率和更大的單塊DRAM裸片容量密度。電壓域和刷新管理功能有助于優(yōu)化電力傳輸網(wǎng)絡(luò),實現(xiàn)了所需的能效提升。此外,優(yōu)化的裸片尺寸縱橫比有助于提高32Gb大容量DRAM裸片的制造效率。

        通過AI驅(qū)動的智能制造技術(shù),美光的1β技術(shù)節(jié)點以公司歷史上最快的速度實現(xiàn)了成熟的良率。
        美光128GB RDIMM將于2024年面向支持4800MT/s、5600MT/s和6400MT/s速率的平臺出貨,未來還將支持高達8,000MT/s速率的平臺。AMD高級副總裁暨服務(wù)器事業(yè)部總經(jīng)理Dan McNamara表示,美光128GB RDIMM將為最新的第四代AMD EPYC處理器提供更大的單核心內(nèi)存容量,32Gb單塊DRAM裸片能為AI、高性能計算和虛擬化等業(yè)務(wù)關(guān)鍵型數(shù)據(jù)企業(yè)工作負載提供更低的總體擁有成本。
         
        隨著AMD推出下一代EPYC處理器助力算力提升,美光128GB RDIMM有望成為最主要的內(nèi)存方案之一,通過提供大容量和出色的單核心帶寬能力,滿足內(nèi)存密集型應(yīng)用的需求。英特爾內(nèi)存與IO技術(shù)副總裁Dimitrios Ziakas博士表示,期待美光基于32Gb裸片的128GB RDIMM解決方案為服務(wù)器和AI系統(tǒng)市場帶來更優(yōu)的帶寬和每瓦性能。英特爾正在基于云、AI和企業(yè)客戶的總體擁有成本效益來評估該款針對關(guān)鍵型DDR5服務(wù)器平臺的32Gb裸片內(nèi)存產(chǎn)品。

           美光32Gb DRAM裸片擁有更高的帶寬和能效,可構(gòu)建符合MCRDIMM和JEDEC標(biāo)準的128GB、256GB及更高容量MRDIMM產(chǎn)品解決方案,從而擴展更多內(nèi)存產(chǎn)品組合。憑借行業(yè)領(lǐng)先的制程和設(shè)計技術(shù)創(chuàng)新,美光提供涵蓋RDIMM、MCRDIMM、MRDIMM、CXL和LP等外形規(guī)格的一系列內(nèi)存產(chǎn)品,助力客戶輕松集成這些優(yōu)化的解決方案,滿足AI和高性能計算(HPC)應(yīng)用對于高帶寬、大容量和低功耗的需求。


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