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中斷和定時(shí)器是單片機(jī)學(xué)習(xí)的靈魂所在，如果不懂中斷和定時(shí)器，說明不懂單片機(jī)!擴(kuò)展閱讀：51單片機(jī)的中斷優(yōu)先級(jí)及中斷嵌套 [詳細(xì)]
當(dāng)中央處理器CPU正在處理某個(gè)信息的時(shí)候，如果這時(shí)外界突然發(fā)生緊急事件，且請(qǐng)求CPU暫停止當(dāng)前工作，轉(zhuǎn)而去處理這個(gè)緊急事件。CPU處理完這個(gè)緊急事件之后，再回到原來被中斷的地方，繼續(xù)原來的工作。單片機(jī)中的這個(gè)暫停止處理信息的過程，就稱為中斷 ，能實(shí)現(xiàn)中斷功能的所有程序軟件的組合稱為中斷系統(tǒng)。 [詳細(xì)]
芯片和模塊記憶芯片DDR-200:DDR-SDRAM 記憶芯片在 100MHz 下運(yùn)行DDR-266:DDR-SDRAM 記憶芯片在 133MHz 下運(yùn)行DDR-333:DDR-SDRAM 記憶芯片在 166MHz 下運(yùn)行DDR-400:DDR-SDRAM 記憶芯片在 200MHz 下運(yùn)行(JEDEC制定的DDR最高規(guī)格)DDR-500:DDR-SDRAM 記憶芯片在 250MHz 下運(yùn)行(非JEDEC制定的DDR規(guī)格)DDR-600:DDR-SD[詳細(xì)]
SDRAM之所以成為DRAM就是因?yàn)樗粩噙M(jìn)行刷新(Refresh)才能保留住數(shù)據(jù)，因?yàn)樗⑿?Refresh)是DRAM最重要的操作。那么要隔多長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)一次刷新，目前公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是，存儲(chǔ)體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64ms(毫秒，1/1000秒)，也就是說每一行刷新的循環(huán)周期是64ms。這樣刷新速度就是:64ms/行數(shù)量。我們?cè)诳磧?nèi)存規(guī)[詳細(xì)]
一、影響性能的主要時(shí)序參數(shù)所謂的影響性能是并不是指SDRAM的帶寬，頻率與位寬固定后，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內(nèi)存的工作周期內(nèi)，不可能總處于數(shù)據(jù)傳輸?shù)臓顟B(tài)，因?yàn)橐忻、尋址等必要的過程。但這些操作占用的時(shí)間越短，內(nèi)存工作的效率越高，性能也就越好。非數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間的主要組成部分就[詳細(xì)]
SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了五代，分別是:第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM。第一代SDRAM采用單端(Single-Ended)時(shí)鐘信號(hào),第二代、第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時(shí)鐘信號(hào)作為同步時(shí)鐘。SDR SDRAM的時(shí)鐘頻率就是數(shù)據(jù)存[詳細(xì)]
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tws調(diào)成雙耳模式只需要將耳機(jī)恢復(fù)出廠設(shè)置后再重新與手機(jī)連接即可。具體操作步驟如下：1、在手機(jī)藍(lán)牙界面找到連接的tws藍(lán)牙耳機(jī)后，斷開藍(lán)牙連接。2、將耳機(jī)放入耳機(jī)盒中，同時(shí)長(zhǎng)按左右耳機(jī)的觸摸部位7秒，耳機(jī)白色指示燈長(zhǎng)亮，松開按鍵。3、耳機(jī)復(fù)位后，耳機(jī)白色指示燈閃爍，進(jìn)入配對(duì)模式，再進(jìn)入手機(jī)藍(lán)牙重新[詳細(xì)]
國(guó)際大廠商如三星（samsung),現(xiàn)代（hynix），鎂光（Micron）等廠商的小容量nand flash 都已逐步停產(chǎn)，市場(chǎng)也呈現(xiàn)缺貨漲價(jià)勢(shì)頭。下面給大家介紹最近２年風(fēng)頭正勁的韓國(guó)ATO公司的小容量nand flash，由于供貨穩(wěn)定，性價(jià)比好，開始受到各大生產(chǎn)廠商的熱捧。 ATO的nand fla[詳細(xì)]
RAM存儲(chǔ)器自誕生來，已發(fā)展成多個(gè)版本，有SRAM、pSRAM、DRAM等，下一個(gè)是什么呢？穎特新工程師為你介紹什么是MRAM高速內(nèi)存。人們一直以來都覺得電腦開機(jī)之后看著Windows進(jìn)度條一次次劃過，然后點(diǎn)擊登錄、打開桌面這樣的過程是理所當(dāng)然？之所以每次開機(jī)時(shí)操作系統(tǒng)都必須重新做一次內(nèi)存初始化的操作，是因?yàn)楝F(xiàn)在的[詳細(xì)]
雖然2019年Q3中美貿(mào)易爭(zhēng)端有所緩解（將重啟談判），2019年智能手機(jī)及服務(wù)器的需求量繼續(xù)低于原先預(yù)期。此外，上半年CPU缺貨對(duì)筆記本電腦出貨仍略有影響，因此，eMMC/UFS、SSD等產(chǎn)品第三季旺季出貨量恐不如預(yù)期，合約價(jià)跌勢(shì)難止。2019年上半年，OEM著重各類產(chǎn)品去化庫存，備貨動(dòng)能疲弱，NAND Flash合約均價(jià)已連續(xù)[詳細(xì)]
內(nèi)存的正式名字叫做“存儲(chǔ)器”，是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為3400億美金，存儲(chǔ)器就占了768億美元。對(duì)于你身邊的手機(jī)、平板、PC、筆記本、安防等所有電子產(chǎn)品來說，存儲(chǔ)器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。[詳細(xì)]
NAND Flash解決方案架構(gòu)主流分為：raw NAND、ClearNAND和eMMC三種，各有不同的架構(gòu)、界面和終端應(yīng)用。生產(chǎn)廠商將會(huì)視不同客戶和不同產(chǎn)品應(yīng)用的需求，而靈活運(yùn)用raw NAND、ClearNAND和eMMC 這3種NAND Flash解決方案。raw NANDraw NAND即是一般的NAND Flash內(nèi)存芯片，所有的ECC除錯(cuò)機(jī)制(Error Correcting Code)、[詳細(xì)]
高速SRAM芯片一般是指異步快速SRAM芯片，讀取速度在8/10/12ns之間，大多數(shù)用于工業(yè)級(jí)應(yīng)用，高速設(shè)備應(yīng)用，服務(wù)器，金融系統(tǒng)等行業(yè)，對(duì)于高速SRAM芯片要如何選型？穎特新工程師建議一般考慮以下幾個(gè)：1、高速SRAM存儲(chǔ)器容量容量是衡量 SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的能力大小，它們主要的單位換算方式如下：1.1常用的單位有：bi[詳細(xì)]
一、什么是SRAM存儲(chǔ)器？SRAM存儲(chǔ)器是一種需要在支持供電的條件下才可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，一般在高性能產(chǎn)品中是關(guān)鍵的部分，一般來說SRAM存儲(chǔ)器是分為兩種，一種是異步SRAM，另一種是同步SRAM。同步型sram采用一個(gè)輸入時(shí)鐘來啟動(dòng)至存儲(chǔ)器的所有事務(wù)處理(讀、寫、取消選定等)。而異步型sram則并不具備時(shí)[詳細(xì)]
PSRAM是一種偽靜態(tài)SRAM存儲(chǔ)器，它具有類似SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實(shí)現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新，接口簡(jiǎn)單；PSRAM的內(nèi)核是DRAM架構(gòu)：1T1C一個(gè)晶體管一個(gè)電容構(gòu)成存儲(chǔ)cell，而傳統(tǒng)SRAM需要6T即六個(gè)晶體管構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)cell。由此結(jié)合，他可以實(shí)現(xiàn)類S[詳細(xì)]
PSRAM，全稱Pseudo static random access memory，屬于偽靜態(tài)SRAM器件，內(nèi)置內(nèi)存顆粒和SDRAM的顆粒類似，器件外部接口和SRAM相似，不需要跟SDRAM一樣復(fù)雜的控制器和刷新機(jī)制可以采用跟SRAM一樣的接口模式外擴(kuò)PSRAM器件。PSRAM芯片容量包括1Mbytex8，2Mbytex8，4Mbytex8，8Mbytex8四種，不能夠與SDRAM的高密度容[詳細(xì)]
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